1) nonlinear digital filter
非线性数字滤波器
1.
Based on the chaotic characteristics of nonlinear digital filter with changeable coefficients (NDF), such as the n-dimensional uniform distribution and ergodicity, a chaotic Hash function construction scheme based on NDF is proposed.
在分析变系数非线性数字滤波器的混沌特性的基础上,提出一种带密钥的混沌Hash构造方法·首先构建能产生高维混沌序列的非线性数字滤波器;然后通过混沌调制方式将明文信息注入滤波器均匀分布的混沌轨迹中;最后以扰动映射和滤波器的初态作为密钥,以轨迹的粗粒化量化形成明文的Hash值·研究表明,该算法简单快速,比基于单一混沌映射的Hash算法安全性更高;同时,滤波器结构中没有复杂的浮点运算,比一般复合混沌系统更易于软硬件实现
2) nonlinear digital filters
非线性数字滤波器
1.
Some modifications are introduced to n-dimensional nonlinear digital filters in order to improve the period and distribution properties of the resulted sequences.
针对n维非线性数字滤波器产生序列的周期和分布特性 ,我们在系统结构上作了相应的设计 ,并最终应用FPGA(现场可编程门阵列 )技术实现混沌跳频序列发生器 。
2.
Some modifications are introduced to the n-dimensional nonlinear digital filters in order to improve the period and distribution property of the resulted sequence.
针对 n维非线性数字滤波器产生序列的周期和分布特性 ,在结构上作了相应的设计。
3) nonlinear autoregressive digital filter
非线性自回归数字滤波器
4) nonlinear adaptive digital filter
非线性自适应数字滤波器
1.
In this paper, we apply the wavelet shrinkage methodto nonlinear adaptive digital filters and introduce a kind ofwavelet shrinkage iterative filtering methods based on discreteorthogonal wavelet transform and design the model of nonlinearadaptive wavelet shrinkage filter.
本文中,将小波萎缩法应用于非线性自适应数字滤波器的设计,介绍利用基于离散正交小波变换的小波萎缩迭代滤波方法,设计出非线性自适应小波萎缩滤波器的模型文中给出了非线性自适应小波萎缩滤波器的一个消噪实例,证实了非线性自适应小波萎缩滤波器鲁棒性好的特性。
5) on-line digital filters
在线数字滤波器
6) digital linear filter
线性数字滤波
1.
Apparent resistivity formulas expressed by the vertical magnetic fiel-H_z are derived from Maxweill's equations,Computer program is programed by digital linear filter.
从麦克斯韦方程组出发，推导出了垂直磁场Ｈｚ表达的视电阻率公式，利用线性数字滤波法编写了计算程序。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条