2) quadrant Si-photoelectric detector
四象限硅光电探测器
1.
A novel dual axis small angle measuring method is introduced, which uses optics self-collimating structure and quadrant Si-photoelectric detector.
由于该装置采用了光电自准直结构,以高灵敏度的四象限硅光电探测器作为检测元件,采用交流调制,锁相放大的方法对信号进行了处理,所以有效地消除了直流漂移的影响,提高了稳定性和测试精度。
3) four quadrant optoelectronic detection
四象限光电探测
1.
A holographic optical element in four quadrant optoelectronic detection has been constructed.
提出了用于四象限光电探测的全息光学元件的制作方法。
4) four-quadrant detector
四象限探测器
1.
Design of an automatic system based on four-quadrant detector for beam-adjustment;
基于四象限探测器的光束智能校正系统设计
2.
According to the principle of the laser guided bomb and analyzing the influence of environment light, and it can be included that the output signal of the four-quadrant detector is non-linear if environmental light exits.
利用神经网络所具有地能够以任意精度逼近非线性函数的能力,采用神经网络共轭梯度法对四象限光电探测器的输出信号进行了非线性修正,实现四象限探测器的输出与实际光点位置之间的映射,在神经网络的输出端得到线性响应。
3.
Based on analyzing the working principle and the essential of the four-quadrant detector on LSSGWs,by studying and analyzing the mechanism of optical system s aberration in LSSGWs resulting in detecting errors,some important conclusions are drawn.
在研究和分析四象限探测器探测目标方位的工作原理和实质的基础上,通过研究和分析激光半主动寻的制导武器的光学系统由于像差的存在导致目标方位探测误差的机理,得出一些重要结论。
5) double-four quadrants photoelectric detector
双四象限探测器
1.
Combining least square support vector machine with matrix optics,a completely new measurement model of double-four quadrants photoelectric detector in laser tracking optical path is proposed,where the desired parameters of detector can be measured at random detector position.
为了得到最佳的动态跟踪性能,提出了最小二乘向量机与矩阵光学相结合的建模方法,建立了双四象限探测器在激光跟踪光路中的全新测量模型,该模型可实现对探测器参数的自适应测量。
6) quadrant detector
四象限探测器
1.
The laser damage of quadrant detectors has been investigated experimently,and shows that it is equal to add a fixed angle bias when the damaged detector is used to detect space angle.
利用ＹＡＧ脉冲激光器对硅光电池四象限探测器进行了激光破坏实验，证实了破坏后的探测器用于方位角探测时相当于引入了一个固定的角偏差，并讨论了将其用于光学制导时对导弹脱靶量的影响。
2.
A measure and control system for Integrated circuit(IC)mask alignment based on Programmable Controller(PLC)and quadrant detectors is presented.
提出一种基于可编程控制器和四象限探测器的集成电路掩模版对准系统。
补充资料：固态光电探测器
把光功率或能量转换成电量的各种半导体器件。把光量转换成电量的固态光电探测器主要有:光敏电阻、光生伏打电池（光电池）、光电二极管和光电三极管以及由它们派生出的各种光电器件，也有利用其他效应制成的器件。
光敏电阻（光电导管） 利用内光电效应使半导体受光照后显著改变导电性能的现象制成的器件。半导体可以是有机的或无机的、结晶型的或非晶态的；可以是单晶或多晶、薄膜烧结型、真空蒸发型、化学沉淀型或夹层型等。在半导体两端镀上电极就构成光敏电阻。
在电极间施加电压后无光照时流过的电流称暗电流；光照后激发自由载流子，使流过的电流剧增，这部分电流称光电流。入射的光量和光电流(施加给定的电压)之间的关系曲线构成光敏电阻的光电特性。
根据半导体材料及其掺杂类型的不同，不同的光敏电阻对不同的光谱段敏感。在可见光区使用的主要是硫化锌、硫化镉、硒化镉及其混合多晶光敏电阻；在近红外区使用的主要有硅、锗、硫化铅、锑化铟等。在中红外和远红外区工作的光敏电阻一般均需保证低温工作条件。
光生伏打电池（光电池） 能在光的照射下产生电动势的半导体器件（见光生伏打效应）。光电池大量应用于航天器中作供电电源，并开始用作仪器或家庭供电，光电池也广泛用于光度色度仪器中。目前工业生产的大多为硅光电池，对可见和近红外光响应。
光电二极管 能在光的照射下产生电动势或光电流的半导体器件。它的结构与光电池的相同，也是半导体结型器件，但尺寸小得多。它有两种工作方式：当不加偏置电压时，在光的照射下产生和光电池相同的电动势，这称为光电池的工作方式，其短路电流和开路电压与光量有一定关系；当加反向偏置电压（P区接电源负极，N区接电源正极）后，在光的照射下出现反向光电流，其大小与照射的光量有关，这称为光电二极管工作方式。
PIN 光电二极管与一般光电二极管的区别在于在半导体的P区和N区间增加一层本征半导体Ⅰ 区，这样会增加PN结耗尽区的厚度，提高吸收光子的几率和减小结电容，从而提高探测效率和响应速度。
雪崩光电二极管的反向偏置电压接近于反向击穿电压，这时光电子能通过与原子的碰撞电离释放出更多的电子，实现电子倍增，但噪声稍大。它具有高得多的探测效率和与PIN光电二极管相近的响应速度。
光电三极管 结构与PNP或NPN半导体三极管相似,但大多没有基极引出线。光照射到集电极-基极结上,产生的光电流起着基极电流的作用，经三极管作用获得放大数倍到近百倍的集电极电流。光电三极管的探测效率比光电二极管大得多，但受结电容的影响，响应慢，只能响应几百千赫的调制光。
参考书目
R.J. Keyes, Optical and InfRared Detectors, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York,1977.
光敏电阻（光电导管） 利用内光电效应使半导体受光照后显著改变导电性能的现象制成的器件。半导体可以是有机的或无机的、结晶型的或非晶态的；可以是单晶或多晶、薄膜烧结型、真空蒸发型、化学沉淀型或夹层型等。在半导体两端镀上电极就构成光敏电阻。
在电极间施加电压后无光照时流过的电流称暗电流；光照后激发自由载流子，使流过的电流剧增，这部分电流称光电流。入射的光量和光电流(施加给定的电压)之间的关系曲线构成光敏电阻的光电特性。
根据半导体材料及其掺杂类型的不同，不同的光敏电阻对不同的光谱段敏感。在可见光区使用的主要是硫化锌、硫化镉、硒化镉及其混合多晶光敏电阻；在近红外区使用的主要有硅、锗、硫化铅、锑化铟等。在中红外和远红外区工作的光敏电阻一般均需保证低温工作条件。
光生伏打电池（光电池） 能在光的照射下产生电动势的半导体器件（见光生伏打效应）。光电池大量应用于航天器中作供电电源，并开始用作仪器或家庭供电，光电池也广泛用于光度色度仪器中。目前工业生产的大多为硅光电池，对可见和近红外光响应。
光电二极管 能在光的照射下产生电动势或光电流的半导体器件。它的结构与光电池的相同，也是半导体结型器件，但尺寸小得多。它有两种工作方式：当不加偏置电压时，在光的照射下产生和光电池相同的电动势，这称为光电池的工作方式，其短路电流和开路电压与光量有一定关系；当加反向偏置电压（P区接电源负极，N区接电源正极）后，在光的照射下出现反向光电流，其大小与照射的光量有关，这称为光电二极管工作方式。
PIN 光电二极管与一般光电二极管的区别在于在半导体的P区和N区间增加一层本征半导体Ⅰ 区，这样会增加PN结耗尽区的厚度，提高吸收光子的几率和减小结电容，从而提高探测效率和响应速度。
雪崩光电二极管的反向偏置电压接近于反向击穿电压，这时光电子能通过与原子的碰撞电离释放出更多的电子，实现电子倍增，但噪声稍大。它具有高得多的探测效率和与PIN光电二极管相近的响应速度。
光电三极管 结构与PNP或NPN半导体三极管相似,但大多没有基极引出线。光照射到集电极-基极结上,产生的光电流起着基极电流的作用，经三极管作用获得放大数倍到近百倍的集电极电流。光电三极管的探测效率比光电二极管大得多，但受结电容的影响，响应慢，只能响应几百千赫的调制光。
参考书目
R.J. Keyes, Optical and InfRared Detectors, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York,1977.
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