1)  VCO
VCO
1.
A 12~18GHz Wide Band VCO Based on Quasi-MMIC;
基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO(英文)
2.
A Monolithic 2.4GHz High Frequency Wide Tuning Range LC VCO;
单片集成的高频宽带LC VCO设计
3.
New Low-Power and Linear VCO;
一种低功耗高线性度的环形VCO电路
2)  MESFET VCO
MESFET VCO
3)  Daqing VGO vaccuum coking oil
大庆VCO
4)  VCO gain
VCO增益
5)  VCO modulation
VCO调制
6)  CMOS LC VCO
CMOS LC VCO
1.
Pseudo Operation Point and Design of Ultra Broadband CMOS LC VCO;
伪工作点与超宽带CMOS LC VCO设计
参考词条
补充资料:金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET)
金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET)

JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结(或肖特基结)控制沟道电流。如不用pn结,而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制,这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的,绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等,以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区,分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构,绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时,源和漏极之间由其周围的结绝缘着,故不通导。当栅极加上电压,栅下氧化层中产生电场,其电力线由栅电极指向半导体表面,外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加,半导体表面将由耗尽而反型,产生电子积累,从而形成一个感生的n型表面薄层,因为其导电类型与衬底的导电类型相反,故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压,可改变沟道中电子密度,从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体,则可构成p型沟道的MOSFET。

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