1) UV-light imaging technology
紫外成像技术
1.
Corona discharge is being detected by UV-light imaging technology at home and abroad these years.
为监测电气设备外绝缘缺陷、灵敏观察和准确定位电晕放电,以紫外光谱特征量为量化电晕放电强度的表征参数,以相同工频电压等级下的放电水平和电晕脉冲电流峰值作为量化比较参数,在基本相同的大气条件下,利用紫外成像技术试验研究了极不均匀电场工频电压下电晕放电。
3) UV image
紫外成像
1.
The primal format of UV image is RGB,in order to reduce the image size and easily realize image noise reduction,the RGB image is transformed into gray scale map.
紫外成像诊断技术是发现电气设备电晕放电故障隐患的重要手段,对提高供电可靠性和实现电气设备状态维修具有重要价值。
2.
Because the UV image is shot at night and limited by equipment,the location of corona discharge can not be found easily on the image.
夜间型紫外成像仪获得的放电图像往往因其拍摄条件及其设备的限制,不能很好的实现电晕放电位置的定位,为此在对紫外图像进行降噪预处理的基础上,分别依据紫外图像灰度值的不同、放电部分的灰度值均高于环境部分灰度值、放电部分与环境部分灰度值相差明显且人眼对黑色敏感习惯以及放电部分边界梯度变化大的原理,采用等位图法、阈值法、反转法和边缘法研究了基于紫外成像技术的电气设备放电故障定位。
4) UV imaging
紫外成像
1.
New type of UV imaging and detecting system is introduced.
提出一种新型的紫外成像检测系统 。
5) UV technology
紫外技术
补充资料：解决暗场成像技术延伸晶圆检测
大多数暗场检测系统的核心是声光偏转器（AOD）。当高频信号作用于它时，AOD展现某些特性，它可折射出激光束。如果此激光束折射地很快，结果就相当于在晶圆上画一激光扫描线。正是这条线可确定每次通过晶圆的检测高度，这和产量直接相关。
传统的暗场结构很简单：主要是基于照明斑点和光电倍增管（PMT）传感器。
如今，大多数传统的暗场检测系统可达到100M像素/秒。理论上，可达到300M像素/秒。但是，在暗场中，晶圆结构的散射可从一个像素中几个光子到下个像素中变成数百万个光子，当取样时间减少到>3 nsec时，使支持高动态范围（>12比特）和单输出数字化系统的电子电路的研发变得越来越难。扩展激光光斑扫描的另一障碍是为提高检测灵敏度而减少光斑尺寸时，功率密度就增加了，也就增加了先进晶圆材料受损伤的危险性。另外，光斑扫描结构不能依比例缩小分辨率并同时保持光的傅立叶滤光。这点很重要，因为对先进SRAM和DRAM阵列，傅立叶滤光可使激光器光斑扫描系统的灵敏度增加10倍。
KLA-Tencor公司研发了一种解决方案，避开了这些基本限制，即把难题从前端照明处转移到集光端。这简化了采用光学透镜沿晶圆跟踪线的要求。其新的Puma 9000平台采用了专利结构，可在晶圆上形成一条长线并进行检测，同时，经过多个集光通道可产生双暗场平面。KLA-Tencor设计了一种新的线性传感器和结构，称之为“Streak”技术，它可使传统的暗场极限分别得到解决，能提供>500M像素/秒，以及≤65 nm的线监测能力。对精密的运算规则有足够的计算能力，可从多个通道分析数据。同时，不会延长扫描时间和牺牲产量。
以前，通常采用的是激光光斑和PMT，但PMT是一种光探测器，它并不意味着更高的分辨率。分辨率由照明光斑的尺寸决定。平台能控制照明光斑的尺寸，而且因它有一个与像素有关的传感器，在集光通道中也存在分辨率。成像技术结合照明线允许系统傅立叶滤波任何先进的阵列结构，得到10倍灵敏度的增加，同时增加了照明线上和成像集热器的分辨率。具有双暗场结构的照明和集光器的结合可在获得传统的暗场晶圆产量的前提下得到最好的缺陷灵敏度。
典型的应用是在氮化硅剥离后在像STI CMP这样的薄层上的空洞探测。空洞的大小可在200nm到20nm范围内。Puma对>50 nm的空洞的产量已达>10 wph，这对传统的暗场系统是做不到的。另一个例子是对在90nm到70nm设计规则下，某些遗漏的接触孔甚至部分被刻蚀的接触孔的探测，由于和接触层有关的噪声，至今为止，这方面的探测也成了检测系统面临的主要挑战。
由于平台不再受AOD要求的限制，它可望将延伸好几代。
传统的暗场结构很简单：主要是基于照明斑点和光电倍增管（PMT）传感器。
如今，大多数传统的暗场检测系统可达到100M像素/秒。理论上，可达到300M像素/秒。但是，在暗场中，晶圆结构的散射可从一个像素中几个光子到下个像素中变成数百万个光子，当取样时间减少到>3 nsec时，使支持高动态范围（>12比特）和单输出数字化系统的电子电路的研发变得越来越难。扩展激光光斑扫描的另一障碍是为提高检测灵敏度而减少光斑尺寸时，功率密度就增加了，也就增加了先进晶圆材料受损伤的危险性。另外，光斑扫描结构不能依比例缩小分辨率并同时保持光的傅立叶滤光。这点很重要，因为对先进SRAM和DRAM阵列，傅立叶滤光可使激光器光斑扫描系统的灵敏度增加10倍。
KLA-Tencor公司研发了一种解决方案，避开了这些基本限制，即把难题从前端照明处转移到集光端。这简化了采用光学透镜沿晶圆跟踪线的要求。其新的Puma 9000平台采用了专利结构，可在晶圆上形成一条长线并进行检测，同时，经过多个集光通道可产生双暗场平面。KLA-Tencor设计了一种新的线性传感器和结构，称之为“Streak”技术，它可使传统的暗场极限分别得到解决，能提供>500M像素/秒，以及≤65 nm的线监测能力。对精密的运算规则有足够的计算能力，可从多个通道分析数据。同时，不会延长扫描时间和牺牲产量。
以前，通常采用的是激光光斑和PMT，但PMT是一种光探测器，它并不意味着更高的分辨率。分辨率由照明光斑的尺寸决定。平台能控制照明光斑的尺寸，而且因它有一个与像素有关的传感器，在集光通道中也存在分辨率。成像技术结合照明线允许系统傅立叶滤波任何先进的阵列结构，得到10倍灵敏度的增加，同时增加了照明线上和成像集热器的分辨率。具有双暗场结构的照明和集光器的结合可在获得传统的暗场晶圆产量的前提下得到最好的缺陷灵敏度。
典型的应用是在氮化硅剥离后在像STI CMP这样的薄层上的空洞探测。空洞的大小可在200nm到20nm范围内。Puma对>50 nm的空洞的产量已达>10 wph，这对传统的暗场系统是做不到的。另一个例子是对在90nm到70nm设计规则下，某些遗漏的接触孔甚至部分被刻蚀的接触孔的探测，由于和接触层有关的噪声，至今为止，这方面的探测也成了检测系统面临的主要挑战。
由于平台不再受AOD要求的限制，它可望将延伸好几代。
| 作者：Alexander E. Braun，Semiconductor International高级编辑 |
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参考词条