1) Pockels effect
泡克尔斯效应
2) pockels electro optic effect
泡克尔斯电光效应
3) Pockels effect
泡克耳斯效应
1.
The principle and application of the Pockels effect to electricity measurements are reviewed,with discussions on how to choose the Pockels crystal and incident.
应用泡克耳斯效应来测量电场 ,具有很强的抗电磁干扰性、测量灵敏度高、测量频带宽等电学方法难于相比的优点 。
4) Pockels' effect cell
泡克耳斯效应拿
5) Pockels effct
泡克耳斯(Pockels)效应
6) pockels effect
普克尔斯效应
1.
An ideal silicon crystal does not possess Pockels effect because of its inversion symmetry.
从而,我们推断硅材料中将具有直流电场诱导的场致普克尔斯效应和场致光整流效应。
补充资料：泡克耳斯效应
一种电光效应。某些晶体在电场作用下会产生一个附加的双折射,这一双折射与外加电场强度成正比。1893年德国物理学家F.泡克耳斯首先研究了这种线性电光效应，由此而得名。
对于晶体，常用折射率椭球描述其折射率特性。在主轴坐标系中可以写为
。(1)
当有外加电场作用时，晶体的折射率发生改变，因而方程(1)各项的系数也有相应的改变，可以写为
(2)
式中分别对应折射率椭球方程中x2,y2,z2,yz,xz,xy各项系数的改变量;Ej(j=1，2，3)分别表示电场各分量Ex,Ey,Ez;γj为电光张量，可用一个3×6的矩阵表示，共有18个矩阵元，其中有些可能为零，有些彼此相关。这些关系依赖于晶体的对称性，只是在无中心对称的晶体中才产生这种效应（见晶体物理性能的对称性）。若光沿光轴传播，无外加电场时，没有双折射；若同时有平行于 z轴的电场作用，则有双折射产生。由式(2)可得
(3)
式中no为晶体固有的寻常光折射率,ny'与nx'分别表示加电场后在晶体的感生主轴y‵与x‵方向的折射率。为使光波在x‵与y‵两方向的偏振分量之间的位相差为π，所需加的电压值称为半波电压，记为Vλ/2或Vπ，而
， (4)
式中λ为光在真空中的波长。
如上所述，光传播方向与电场方向平行的情况称为纵向电光效应。泡克耳斯盒就是利用纵向电光效应制成的一种快速电光开关。附图表示这种电光开关的一例。圆柱形电光晶体KD*P置于两偏振器P与A之间。圆柱的对称轴即为晶体的光轴方向。与光轴垂直的两端面是透明的。抾与·分别表示线偏振光的偏振方向平行于纸面和垂直于纸面。通过环形电极给晶体施加半波电压Vπ。当偏振器P与A的主轴平行时，光路是关闭的，因为在半波电压作用下，两偏振分量的位相推迟为π，这相当于偏振面旋转了90°。透过P与晶体的偏振光正是 A所不允许通过的。如果突然退掉晶体上的电压，光路立即变为通路。这种电光开关的响应时间小于1纳秒。将泡克耳斯盒置于脉冲激光器的谐振腔内,可做为调Q元件。此时由于有全反射镜,激光两次通过电光晶体，不但可以省去一个偏振器，而且调Q电压只需。
若光在晶体中的传播方向与电场垂直，则称为横向电光效应。在这种情况下，可通过增大纵宽比（通光方向长度／加电压方向的厚度）来降低有效半波电压。用于光波振幅调制的电光调制器常采用这种方式。利用泡克耳斯效应也可以做成电光偏转器，用以改变光束的传播方向。
对于晶体，常用折射率椭球描述其折射率特性。在主轴坐标系中可以写为
。(1)
当有外加电场作用时，晶体的折射率发生改变，因而方程(1)各项的系数也有相应的改变，可以写为
(2)
式中分别对应折射率椭球方程中x2,y2,z2,yz,xz,xy各项系数的改变量;Ej(j=1，2，3)分别表示电场各分量Ex,Ey,Ez;γj为电光张量，可用一个3×6的矩阵表示，共有18个矩阵元，其中有些可能为零，有些彼此相关。这些关系依赖于晶体的对称性，只是在无中心对称的晶体中才产生这种效应（见晶体物理性能的对称性）。若光沿光轴传播，无外加电场时，没有双折射；若同时有平行于 z轴的电场作用，则有双折射产生。由式(2)可得
(3)
式中no为晶体固有的寻常光折射率,ny'与nx'分别表示加电场后在晶体的感生主轴y‵与x‵方向的折射率。为使光波在x‵与y‵两方向的偏振分量之间的位相差为π，所需加的电压值称为半波电压，记为Vλ/2或Vπ，而
， (4)
式中λ为光在真空中的波长。
如上所述，光传播方向与电场方向平行的情况称为纵向电光效应。泡克耳斯盒就是利用纵向电光效应制成的一种快速电光开关。附图表示这种电光开关的一例。圆柱形电光晶体KD*P置于两偏振器P与A之间。圆柱的对称轴即为晶体的光轴方向。与光轴垂直的两端面是透明的。抾与·分别表示线偏振光的偏振方向平行于纸面和垂直于纸面。通过环形电极给晶体施加半波电压Vπ。当偏振器P与A的主轴平行时，光路是关闭的，因为在半波电压作用下，两偏振分量的位相推迟为π，这相当于偏振面旋转了90°。透过P与晶体的偏振光正是 A所不允许通过的。如果突然退掉晶体上的电压，光路立即变为通路。这种电光开关的响应时间小于1纳秒。将泡克耳斯盒置于脉冲激光器的谐振腔内,可做为调Q元件。此时由于有全反射镜,激光两次通过电光晶体，不但可以省去一个偏振器，而且调Q电压只需。
若光在晶体中的传播方向与电场垂直，则称为横向电光效应。在这种情况下，可通过增大纵宽比（通光方向长度／加电压方向的厚度）来降低有效半波电压。用于光波振幅调制的电光调制器常采用这种方式。利用泡克耳斯效应也可以做成电光偏转器，用以改变光束的传播方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条