1) nonlinear reservoir
非线性水库
1.
A baseflow separation method based on nonlinear reservoir assumption;
采用非线性水库假设的基流分割方法及应用
2.
The computation re- suits are compared with the other separation methods based on the nonlinear reservoir assumption and the digital filter.
采用该方法对流量过程线进行分割,并与现行的非线性水库假设分割法和数字滤波分割方法相比较。
2) non-linear reservoir equation
非线性水库方程
3) linear reservoir
线性水库
1.
This article creates a generalized linear reservoir model from linear reservoir model.
在线性水库模型的基础上提出了广义线性水库模型这一概念。
4) nonlinear cumulative holding cost
非线性库存费用
5) nonlinear water waves
非线性水波
1.
In this paper, it is dealt with that the Hamiltonian formulation of nonlinear water waves in a two_fluid system,which consists of two layers of constant_density incompressible inviscid fluid with a horizontal bottom,an interface and a free surface.
讨论了一个二流体系统中非线性水波的Ｈａｍｉｌｔｏｎ描述，该系统由水平固壁之上的两层常密度不可压无粘流体组成，上表面为自由面·文中将速度势函数展开成垂向坐标的幂级数，在浅水长波的假定下，取下层流体的“动厚度”与上层流体的“折合动厚度”为广义位移、界面上和自由面上的速度势为广义动量，根据Ｈａｍｉｌｔｏｎ原理并运用Ｌｅｇｅｎｄｒｅ变换导出该系统的Ｈａｍｉｌｔｏｎ正则方程，从而将单层流体情形的结果推广到分层流体的情形
2.
Although the history of nonlinear water wave study is long,a lot of problems in nonlinear water waves field remain open today,due to their difficulties.
尽管非线性水波的研究有较长的历史,但是由于其困难性,非线性水波的领域仍然有大量的问题存在。
6) nonlinear wave
非线性水波
1.
Study on the Generation and Evolution of the Nonlinear Wave on Uneven Bottoms;
论文采用理论分析、符号运算和数值模拟相结合的方法,针对单层流体及分层流体,研究了非平整底部上非线性水波的生成及演化规律。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条