1) microelectronic process
微电子工艺
1.
Design of microelectronic process multimedia computer assisted Instruction system;
微电子工艺多媒体教学系统的设计
2) Micro-electronics Apparatus Technics
微电子器件工艺学
3) Electronic technology
电子工艺
1.
For the purpose of improving the teaching effectiveness of the electronic technology, we have researched and provided some reformed methods, which are teaching model based on practice, teaching integration, skills training progressively, usage of modern multimedia technology, increasing proportion of practice examination, and so on.
为提高《电子工艺学》课程的教学效果,对《电子工艺学》课程教学进行了改革探索,提出了构建以“实践”为基础的教学模式、实施一体化教学、循序渐进加强技能培养、利用现代多媒体技术、加大实践考核比重等改革方法,同时也提出了存在问题及需改进之处。
4) electronic process
电子工艺
1.
This article introduced the reform and practice of electronic process course,established a concept that the engineering quality cultivating should not be interrupted in university( s) four year( s) study.
该文介绍了该院本科生在电子工艺课程的改革与实践。
2.
This article discussed the construction orientation of the electronic process practice base in modern society,and proposed the idea that the base is supposed to combine scientific research,teaching and production orgaincally.
探讨了现代社会中电子工艺实习基地的建设方向,提出了基地应该将科研、教学和生产三者有机结合的观念。
5) Micro-electrolysis
微电解工艺
1.
Waste Water Treatment by VTBR Plus Micro-electrolysis Process;
VTBR反应器加微电解工艺处理生活污水
补充资料：真空电子器件工艺
真空电子器件零件和部件制造、半成品性能检测和工作环境保证的综合技术。根据器件设计对零件的要求，选用恰当的材料，进行机械加工或化学加工，做成外形和化学性能达到设计要求的各种零件，然后用机械或化学方法将各种零件组装成部件，进行性能测试，再经总装、排气、封离、老炼，最后制成真空电子器件。在器件制造过程中需要保持洁净的条件，防止零件、部件污染。真空电子器件工艺包括金属和非金属零件制造工艺（见真空电子器件专用零件加工工艺）、真空电子器件阴极工艺、真空电子器件制造工艺、真空获得技术和真空检漏技术。
在真空电子器件发展的初期，器件的功率小、频率低，多以玻璃为外壳，以云母为内部绝缘材料，金属零件精度要求低，多用板材冲制或用丝材绕制。雷达技术发展后，真空电子器件进入微波波段，对金属零件的精度要求提高了，冲压工艺已不能满足要求，为制造金属零件，引入冷挤、光刻、化学汽相沉积等新工艺。随着微波电子管功率的提高，对绝缘零件的耐温、尺寸精度提出更高的要求，于是陶瓷逐渐代替了玻璃作绝缘材料，随即提出了陶瓷与金属的封接工艺。
新型真空电子器件有时要求将熔点相差很大的金属（如钨与铜）或厚度相差几十倍的不同金属熔焊在一起。有时要求把几十微米的箔或丝焊在一起，而且要求焊点牢固，尺寸精确。早期的点焊或机械连接已不能满足要求，高温钎焊、氩弧焊、微束等离子焊、电子束焊、激光焊、超声焊、扩散焊等新型焊接工艺先后引入真空电子器件工艺。
第二次世界大战后，光电器件迅速发展，产生了一些光电器件特有工艺。光纤板、微通道板、大型显像管玻壳、荫罩、荧光屏、摄像管光电导膜、热释电膜以及光电阴极等的制造工艺迅速发展并广泛应用。
为了保证真空电子器件的寿命长和可靠性高，器件内部真空度应优于10-5帕。在真空获得方面,油扩散泵已逐渐被溅射离子泵、钛升华泵和涡轮分子泵、低温冷凝泵所代替。非蒸散型吸气剂和某些新的蒸散型吸气剂已在器件内应用。
空气中的微尘落入真空器件内部或手汗对零件的沾污，可能成为放气源或引起器件内部短路、打火，使器件参数下降，寿命缩短。完善的器件制造工艺，除对各零部件进行彻底的清洗、去气处理外，还包括一整套的保洁工作条件和制度，如操作人员注意个人卫生，工作间保持一定的温度(20～30)，相对湿度低于75％（个别情况要求低于50％）等。工作间内部空气应进行循环过滤，使空气含尘量在1000级左右，在特殊情况下，例如在制作光电器件的靶面时，则应在100级左右。
在真空电子器件发展的初期，器件的功率小、频率低，多以玻璃为外壳，以云母为内部绝缘材料，金属零件精度要求低，多用板材冲制或用丝材绕制。雷达技术发展后，真空电子器件进入微波波段，对金属零件的精度要求提高了，冲压工艺已不能满足要求，为制造金属零件，引入冷挤、光刻、化学汽相沉积等新工艺。随着微波电子管功率的提高，对绝缘零件的耐温、尺寸精度提出更高的要求，于是陶瓷逐渐代替了玻璃作绝缘材料，随即提出了陶瓷与金属的封接工艺。
新型真空电子器件有时要求将熔点相差很大的金属（如钨与铜）或厚度相差几十倍的不同金属熔焊在一起。有时要求把几十微米的箔或丝焊在一起，而且要求焊点牢固，尺寸精确。早期的点焊或机械连接已不能满足要求，高温钎焊、氩弧焊、微束等离子焊、电子束焊、激光焊、超声焊、扩散焊等新型焊接工艺先后引入真空电子器件工艺。
第二次世界大战后，光电器件迅速发展，产生了一些光电器件特有工艺。光纤板、微通道板、大型显像管玻壳、荫罩、荧光屏、摄像管光电导膜、热释电膜以及光电阴极等的制造工艺迅速发展并广泛应用。
为了保证真空电子器件的寿命长和可靠性高，器件内部真空度应优于10-5帕。在真空获得方面,油扩散泵已逐渐被溅射离子泵、钛升华泵和涡轮分子泵、低温冷凝泵所代替。非蒸散型吸气剂和某些新的蒸散型吸气剂已在器件内应用。
空气中的微尘落入真空器件内部或手汗对零件的沾污，可能成为放气源或引起器件内部短路、打火，使器件参数下降，寿命缩短。完善的器件制造工艺，除对各零部件进行彻底的清洗、去气处理外，还包括一整套的保洁工作条件和制度，如操作人员注意个人卫生，工作间保持一定的温度(20～30)，相对湿度低于75％（个别情况要求低于50％）等。工作间内部空气应进行循环过滤，使空气含尘量在1000级左右，在特殊情况下，例如在制作光电器件的靶面时，则应在100级左右。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条