1) atomic layer deposition
原子层沉积
1.
Surface reaction mechanisms of HfO_2-Al_2O_3 alloy grown on silicon by atomic layer deposition:A density functional theory study;
HfO_2和Al_2O_3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究
2.
The principle of atomic layer deposition technique (ALD)comparing with conventional film deposition processes,especially in vacuum originated and deposition mechanism,are discussed.
讲述原子层沉积技术原理与特点的同时,进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同;综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展,前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点;最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展方向。
3.
The miniaturization of semiconductor devices accelerates the development of atomic layer deposition(ALD) technology.
首先简述原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的互补性和自限制性等工艺基础,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势,着重列举ALD在半导体互连技术、高k电介质等方面的应用。
2) quasi atomic layer deposition
准原子层沉积
1.
In this thesis, quasi atomic layer deposition method has been used to coat nanodiamonds and carbon nanotubes with silicon and titanium.
本论文在纳米金刚石和碳纳米管表面准原子层沉积镀硅、镀钛,并通过直接氧化处理钛镀层和ZrOCl2?8H2O恒温水解制备氧化钛和氧化锆涂层,实现了纳米金刚石和碳纳米管表面纳米涂层的均匀沉积改性。
3) Atom deposition
原子沉积
1.
Simulation of sodium atom deposition pattern in a laser standing wave field;
激光驻波场中钠原子沉积图样的理论研究
4) atom sediment
原子束沉积
5) atomic layer deposition
原子层淀积
1.
Preparing aluminum nitride thin film by atomic layer deposition
氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用
2.
Density functional theory was employed to investigate atomic layer deposition(ALD)mecha-nism of zirconia on Si(100)-2×1 surface with single and double hydroxyl groups.
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应。
3.
And atomic layer deposition(ALD) has become more and more popular due to its precise thickness control in film deposition.
而原子层淀积(ALD)工艺由于其精确的厚度控制,在high-k栅介质的集成工艺上受到了广泛关注。
6) ALD
原子层淀积
1.
Due to many outstanding characters of ALD,it has been widely used in many fields within Microelectronics.
比如当特征尺寸减小到45nm以下时,等效栅氧化层的厚度将会变得小于1nm,隧穿电流开始非常显著,这就需要采用一种新的技术—原子层淀积(Atomic Layer Depositon,简称ALD)制备高k栅介质。
2.
Through the change of ALD process,we can deposit three kinds of HfAlO film with different Al∶Hf atomic ratio.
采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。
3.
It reveals that atomic layer deposition(ALD)is one of best method for making HfO2 dielectric materials.
比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备HfO2介质材料的最好方法之一。
补充资料：原子层沉积
原子层沉积
原子层沉积(atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。