1) contact cobalt mask
接触型钴掩模
1.
The synchrotron radiation (SR) stimulated etching of SiO_2 thin film surface was investigated with a contact cobalt mask, and the etched pattern of SiO_2 thin films on silicon was made.
利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究,在室温下制备了SiO2薄膜的刻蚀图样。
2) contact mask
接触孔掩模
3) chromium-in-contact mask
铬接触掩模
4) metal in-contact mask
金属耐接触掩模
5) contact model
接触模型
1.
Two contact models,the classical Coulomb contact model and the modified Coulomb contact model,are used in a fully coupled thermo-mechanical numerical model of friction stir welding, and the suitabilities of the two models to simulate the welding process are analyzed.
在完全热力耦合搅拌摩擦焊接数值模型中采用两种接触模型——经典的Coulomb接触模型和修正的Coulomb接触模型,模拟了搅拌摩擦焊接过程,以分析不同接触模型对搅拌摩擦焊接过程数值模拟的影响。
2.
Based on the first-order shear deformation theory of the composite laminated plate,an FEA model and the method of free vibration analysis for the composite laminates with multiple through-width delaminations were developed,and a linearity contact model was established to simulate the interaction between upper and lower sub-laminates along the delaminated region during the vibration process.
基于Mindlin一阶剪切理论分项等参插值的有限元法,建立了含多个分层损伤复合材料层合板自由振动分析的有限元模型和分析方法,并采用线性接触模型模拟分层区域上、下子板的相互作用。
3.
Fractal surface was introduced into the average flow model and effect of elastic-plastic contact deformation of fractal surfaces on the flow factors and contact factor were analyzed based on the M-B fractal contact model for partial film lubrication.
在M-B分形接触模型的基础上,利用引入接触因子的平均流动模型,分别计算在考虑和不考虑分形表面接触峰变形情况下的流量因子和接触因子,研究分形表面接触变形对润滑状态的影响。
6) contact mask printer
接触式掩模复制器
补充资料：接触孔掩模
分子式：
CAS号：
性质： 在半导体制造中的一步接触孔制作工序。在该工序中整个管芯表面放置一玻璃绝缘层，在稍后于晶片表面淀积一金属化层畴的互连金属导体必须同有源区相接触的位置，将玻璃绝缘层腐蚀成一些小孔。接触孔掩模即为决定这些小孔的制作过程。
CAS号：
性质： 在半导体制造中的一步接触孔制作工序。在该工序中整个管芯表面放置一玻璃绝缘层，在稍后于晶片表面淀积一金属化层畴的互连金属导体必须同有源区相接触的位置，将玻璃绝缘层腐蚀成一些小孔。接触孔掩模即为决定这些小孔的制作过程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条