1) Enhanced chemical etch
增强化学腐蚀
2) chemically-amplified resist
抗化学腐蚀性，抗化学蚀刻能力，增强型化学保护层
3) Chemical corrosion
化学腐蚀
1.
Study on Chemical Corrosion Solution Composition of Carbonized;
碳化钨化学腐蚀液组成的研究
2.
It is found that the contents of free silicon and its distribution are the major factors to determining the resistance of chemical corrosion of SiC ceramic.
考察了以SiC和碳粉为主要原料制备的不同密度和游离硅含量的反应烧结SiC陶瓷的耐酸碱腐蚀性能,结果表明:游离硅含量及其分布状况是决定SiC陶瓷耐化学腐蚀性能的主要因素。
3.
By testing the mechanical characteristics of different surface of silicon wafer,chemical corrosion is found to be important to improve the mechanical characteristic of Si.
通过对不同表面状态的硅片力学性能的测试,得出化学腐蚀在改善硅片力学性能方面具有重要作用,适当的化学腐蚀工艺可以大幅减少硅片制备过程中的不良率。
4) chemical etch
化学腐蚀
1.
Study on the dislocation of the sapphire crystal with chemical etching;
化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷
2.
LaB6 ,as one kind of better material , is so perfect that it is important to research its chemical etching in the arts and crafts to be used in the preparation of emitting cathode.
而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用,本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究,并得到了图形化的六硼化镧表面。
3.
The defects in GdCa 4O(BO 3) 3 (GdCOB) crystal grown by Czochralski method have been investigated by the phase contrast microscopy combined with chemical etching mehod.
利用相衬显微镜结合化学腐蚀法 ,进行了沿 0 10 方向提拉生长的GdCa4 O(BO3) 3(GdCOB)晶体中的缺陷观察。
5) chemical etching
化学腐蚀
1.
Quantum wire (dot) prepared by combination of laser and chemical etching;
激光刻蚀与化学腐蚀结合法制备量子线(点)结构
2.
The defects of Ti:LiAlO2(100) slices before and after air annealing were investigated by chemical etching and Leitz optical microscopy.
1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌。
3.
Dislocation pattern and distribution were detected after chemical etching with KOH.
对红宝石晶片进行了偏振光的干涉研究,用KOH化学腐蚀后,在显微镜下观察了晶体中的位错形貌及分布。
6) chemical eroding
化学腐蚀
1.
According the feature of physical and chemic process,the paper divide Casing damage into four types which are cutting 、breaking、 compaction and chemical eroding,and respectively depict their characters.
本文根据机械作用和化学作用特征,将套损类型划分为错断、拉断、挤压以及化学腐蚀四种,并对其相应特征做了描述。
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条