1) Si_xC_y/C composite film
SixCy/C复合薄膜材料
1.
The measurements of XRD and Raman spectroscopy indicate that the Si_xC_y/C composite film has nano-microcrystalline structure.
电化学性能测试表明,该SixCy/C复合薄膜材料,具有较低的充放电平台(0·5V以下),对应的首次放电容量达1200mAh/g以上,经过200次循环,容量保持率高于85%。
2) Nanostructured thin film composite
纳米薄膜复合材料
3) Piezoelectric composite film
压电复合材料薄膜
4) carbon/carbon composites
C/C复合材料
1.
Effect of Si/Mo ratio on microstructure and high-temperature antioxidation property of SiC-MoSi_2 coating for carbon/carbon composites;
硅钼含量对C/C复合材料SiC-MoSi_2涂层结构和高温抗氧化性能的影响
2.
The ablation performances of two kinds of carbon/carbon composites with different pyrocarbon were investigated on a high-pressure arc heater.
采用电弧驻点烧蚀试验方法测试了具有典型光滑层和粗糙层热解炭结构的两种C/C复合材料的烧蚀率,研究了热解炭结构对C/C复合材料烧蚀性能的影响。
3.
The advantage of carbon/carbon composites is constrained by its oxidation at high temperature.
C/C复合材料高温氧化性限制了其在高温领域的更广泛应用。
5) C/C composites
C/C复合材料
1.
Ablation characteristics of 2D-C/C composites and their graphitized products;
2D-C/C复合材料及其石墨化制品烧蚀特性分析
2.
Effects of graphitization degree and fiber content on properties of C/C composites;
石墨化度及纤维含量对C/C复合材料性能的影响
3.
Effect of content and type of matrix carbon on sliding tribology behavior of C/C composites;
基体炭含量对C/C复合材料滑动摩擦磨损行为的影响
6) 2D-C/C composite
2D-C/C复合材料
1.
Kinetic model and mechanisms of oxidation of 2D-C/C composite;
2D-C/C复合材料氧化动力学模型及其氧化机理
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条