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1)  LaB_x thin film
硼化镧薄膜
1.
Lanthanum hexaboride(LaB6) has been widely used for all kinds of large density electron source as it has unique emission characteristics,but the preparation of LaB_x thin films has not deeply studied.
LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源,但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究,本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测,使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比,薄膜显示出良好的发射特性,利用热发射测量逸出功,利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2。
2)  films LaB_6
六硼化镧薄膜
3)  BN film
氮化硼薄膜
1.
6 while deposited BN films,and the antifriction effect is obvious.
采用射频磁控溅射法在T10碳素工具钢表面制备了氮化硼薄膜;研究了在基材和薄膜之间化学镀N i-P中间层对薄膜结合力的影响;使用摩擦试验机对基材和镀膜后的试样进行了摩擦性能检测;通过划痕试验进行了结合强度试验。
2.
With optical microscope, friction and wear spectrometer and scratch spectrometer, the influence of the parameters of sputtering time, sputtering power and interface layer on the film was studied The results showed that the friction factor of BN film was about half of that of the steel based materials, and the cohesion between film and substrate could obviously be.
采用射频磁控溅射方法在T10钢表面获得了氮化硼薄膜。
3.
BN films, synthesized by ion beam assisted deposition, were analysed by RBS,AES, IR spectra and TEM.
用离子束辅助沉积(IBAD)技术合成氮化硼薄膜,红外吸收谱和透射电镜的观测结果显示,薄膜含有c—BN和h—BN相薄膜Knoop硬度值高达35GPa。
4)  boron nitride thin film
氮化硼薄膜
1.
Amorphous boron nitride thin film was prepared on the titanium coated ceramic substrate by pulsed laser deposition technique (PLD).
利用脉冲激光沉积 (PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜 ,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM )及Raman光谱分析了该薄膜的结构 ,并研究了薄膜场致电子发射特性 ,阈值电场为4 6V μm ,当电场为 9V μm时 ,电流密度为 5 0 μA cm2 。
5)  boron carbide thin films
碳化硼薄膜
1.
The results of XRD show that the crystallization of the boron carbide thin films meliorate gradually with increasing substrate temperature and crystalloid of the boron carbide thin films are got at more than 150 ℃ of the substrate temperature.
采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构,测量了薄膜的X射线光电子能谱(XPS),并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析。
6)  lanthanum boride
硼化镧
1.
The properties of boron carbide-lanthanum boride composite material prepared by hot pressed sintering method was tested, and lanthanum boride as a sintering aid for boron carbide was investigated.
83 GPa;总的说来,LaB6添加量对热压烧结B4C-LaB6材料的抗弯强度影响不大;LaB6添加量对热压烧结B4C-LaB6材料的断裂韧性影响较大,随着硼化镧添加量的增加呈成锯齿波变化。
补充资料:BOPP薄膜用抗静电剂选择方法
据专家介绍,抗静电剂是BOPP薄膜助剂中需求量最大的品种,大多数用途的BOPP薄膜生产过程都需要加入抗静电母料。抗静电剂种类很多,按化学结构来区分,有阳离子型抗静电剂、阴离子型抗静电剂、非离子型抗静电剂和高分子导电型抗静电剂4种。
 

 

    在BOPP薄膜的加工或使用过程中,由于薄膜间的摩擦而产生静电作用,会吸附空气的灰尖或其他污染物,这不仅影响到薄膜表面的美观,而且在使用过程中也会发生相互粘结,影响正常生产。另外,静电的存在会对人体造成极大的伤害。为此,在BOPP薄膜的加工过程中要加入对抗静电或抗静电母料可降低并消除静电。
                
                   
    在国外,BOPP薄膜抗静电剂的发展很快,尤其是美国、日本和欧洲等发达国家,无论是抗静电剂的生产和销售均居世界前列。日本的BOPP薄膜抗静电剂生产也逐步增K,其中主要厂家有花王石碱、狮子、日本油脂、九菱油化、松本油脂以及第一制药公司等6家。另外,日本大日精华公司开发了13Elecon—300型用于PP和PE树脂。新加坡聚丙公司的产品也适用于BOPP薄膜。欧洲总的来说发展比较稳定,但也看到抗静电剂的问题不容易根本解决,目前尚未有最佳消除BOPP薄膜表面静电的措施,国际上做了大量的研究,但进展也不显著。
                
    与国外相比,国内抗静电剂的研制工作起步较晚,远远落后于发达国家,每年都需要进口大量的抗静电剂和抗静电母料。但近年来抗静电剂的研制获得了一定的进展。目前正向开发导电填料新品种、降低添加量、综合利用填料各种性能、革新加工工艺、提高和稳定产品的抗静电性能等方向发展。专家指出,目前抗静电剂开发的技术关键集中在各类表面活性剂的结构设计。近年来,双亲水性高分子型永久抗静电剂的开发研制工作进展较快,并已部分实现商品化。用各种亲水性聚合物作为抗静电剂,由此开发所谓聚合物合金型永久抗静电树脂,永久性抗静电剂在树脂中的分散状态对树脂的抗静电性有显著的影响。研究表明,永久性抗静电剂以层状结构或筋状形态主要均匀细微地分布在制品表面,形成网状“导电通道”,而中心部分较少且主要以颗粒状存在。高分子型永久抗静电剂可分为聚醚型和离子型。聚醚型包括聚环氧乙烷(PEO)、聚醚酯酰胺、PEG、PEEA和丙烯酸甲酯等;离子型包括季铵盐基甲基丙烯酸酯共聚物等。与低分子量的表面活性剂类抗静电剂相比,高分子型抗静电剂有抗静电效果且持效期长,发挥抗静电作用快,对空气的相对湿度依赖性小等优点。从国内外抗静电剂的发展趋势看,目前正朝着耐热、耐久、功能性强、适用性广和产品系列化的方向发展。
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