1) nonlinear magnification
非线性放大
1.
A new nonlinear magnification method is proposed in this paper.
本文提出一种新的基于Bezier曲线的透视投影非线性放大方法。
2) nonlinear amplifying loop mirror
非线性放大环镜
1.
A kind of all-optical switch, which is constructed by a nonlinear amplifying loop mirror (NALM) based on erbium-doped fiber amplifier (EDFA) and high nonlinear dispersion shifted fiber (HNL-DSF), is presented.
采用掺铒光纤放大器(EDFA)和高非线性色散位移光纤(HNL DSF)组成非线性放大环镜(NALM),利用掺铒光纤放大器的高增益系数和高非线性色散位移光纤的光学克尔效应构造全光开关,实现脉冲整形和消除干扰噪声。
2.
The passively mode-locked of nonlinear amplifying loop mirror(NALM) configuration is used to study the influence of mode-locked pulse induced by the nonlinear effect of optical fiber.
为了研究光纤中的非线性效应对锁模脉冲的影响,采用非线性放大环镜来实现被动锁模,在分析非线性放大环镜传输特性理论的基础上,对被动锁模掺铒光纤激光器进行了相关的实验研究。
3.
To achieve a steady harmonic mode-locked pulse (HMLP), the theory of rational harmonic mode-locking and the transmission characteristics of a nonlinear amplifying loop mirror were analyzed.
为了获得稳定的谐波锁模脉冲,分析了有理数谐波锁模的理论和非线性放大环镜的传输特性。
3) nonlinear amplifier
非线性放大器
1.
The effect of the nonlinear amplifier on the OFDM signal;
非线性放大器对OFDM信号的影响
2.
A new method that reduces the quantile noise in Δ-Σ convertor is proposed Theoretical analysis for the new structure of poweramplifier is given The new structure utilizes the advantages of both linear and nonlinear amplifier and is thus featured with high efficiency and low distortion The high efficiency of the new amplifier structure is verified with both theoretical and SPICE simulation result
这种新结构结合了线性放大器与非线性放大器 各自的优点 ,同时具有高效率和低失真的特性。
4) nonlinear amplifying medium
非线性放大媒质
6) nonlinear amplifying loop mirror(NALM)
非线性放大环境(NALM)
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条