1) H-bridge bipolar PWM control
H型双极模式PWM控制
1.
A power amplification of H-bridge bipolar PWM control is designed for controlling DC micro-motor of positive rotation,reverse rotation and speed regulation.
基于H型双极模式PWM控制原理,设计了一种直流微电机正反转调速功率放大电路。
2) H type bi polar mode
H型双极模式
1.
As an application of principle of H type bi polar mode PWM control and current speed bi closed loop control, a DC motor control system is designed.
运用 H型双极模式 PWM控制的原理 ,采用电流速度双闭环控制方式 ,设计一个基于 PWM控制的直流电机控制系统 ,并设计了软启动电路和完善的保护电路 ,确保直流电机控制系统准确、可靠运行。
3) double-pole PWM control
双极性PWM控制
4) Two-polar PWM control
双向式PWM控制
5) PWM Current-Mode Control
PWM电流控制模式
6) dual PWM control
双PWM控制
1.
exciting machine, a scheme of AC-DC-AC plus dual PWM control is adopted and a VSCF wind power generator control device based on 8XC196MC is designed and basic control technique for doubly-fed generator at variable speed and constant frequency state is researched.
针对其励磁装置应具有双向变流的特点,采用交 直 交加双PWM控制的解决方案,研制了基于8XC196MC单片机变速恒频双馈风力发电机控制系统,并研究了双馈发电机的变速恒频运行的基本控制技术。
2.
exciting machine, a scheme of AC-DC-AC plus dual PWM control is adopted and implemented through a system with the new motor control microprocessor INTEL80C196MC.
针对交流励磁装置具有能量双向流动的特点，采用了交直交加双PWM控制的解决方案，并由新型电机控制型单片机组成的系统实现。
补充资料：绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT
IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。 主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。 门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。 发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号 和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条