1) electrical transient immunity test
电瞬变抗扰度试验
3) immunity test
抗扰度试验
1.
The basic processes of the switch of the Electrostatic Discharge(ESD) generator with human-metal model were analyzed,and the influence of the actions of switch during ESD immunity testing with different ESD generators was analyzed.
分析了人体-金属静电放电(ESD)发生器开关动作的基本过程;说明了在ESD抗扰度试验中ESD发生器开关动作的影响。
2.
Using immunity testing apparatus, effects of filter and suppression of power filter on electrical fast transience/burst and oscillatory waves are researched.
通过对变电站开关操作在二次系统和低压交流电源系统传导测量结果的分析,确定了变电站低压交流 也源中传导干扰的特征,利用安捷伦4395A网络分析仪,研究了几种典型电源滤波器的捅入损耗和特性阻抗等 频率特性,应用夏弗纳NSG2025和NSG2050等抗扰度试验设备,研究了电源滤波器对电快速瞬变脉冲群和衰减 振荡波的滤波和抑制效果,给出了变电站电源滤波器的滤波特性要求。
3.
Research status in the testing and measurement of ESD and ESD immunity test are overviewed.
在综述ESD测试和抗扰度试验研究状况基础上,指出该研究领域当前需要进一步研究的问题和发展方向。
4) transient interference test
快速瞬变干扰试验
5) anti-electromagnetic interference test
抗电磁干扰试验
6) immunity test level
抗扰试验电平
补充资料：辐射电磁场抗扰性试验
辐射电磁场抗扰性试验
radiated electromagnetic field immunity test
制，辐射电磁场推荐以下三个等级和一个未定级:①第一级:低等级辐射电磁场，试验场强为IV/m.棋拟距当地广播和电视台超过Ikm处所产生的辐射电磁场以及低功率收发机等设备产生的辐射电磁场.②第二级:中等级辐射电磁场，试验场强为3V/m.棋拟有可能相当接近被试设备但不小于lm的对讲机、手机等移动通信设备等产生的辐射电磁场。③第三级:严重的辐射电磁场，试验场强为10V/m。模拟极其命近被试设备的大功率收发机等设备所产生的辐射电磁场。④第X级(未定级):用于极其严重辐射电磁场环境的未定义级情况，其试验场强由用户和厂家共同协商或由厂家确定。 辐射电磁场抗扰性试验的试验结果应该按被试设备的运行条件和性能规范进行如下分类:①在技术规范限值内性能正常;②功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复;③功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统复位;④因设备(元件)或软件损坏.或数据丢失而造成不能自行恢复至正常状态的功能降低或丧失。如果被试设备在整个试验期间显示出其抗扰性，并在试验结束后满足技术规范中的功能要求.则表明被试设备试验合格。下的工作性能，评价被试设备的辐射电磁场抗扰性。对于不同的试验空间，试验方法略有不同。 (1)在电磁波暗室内进行试验。一般在全电磁波暗室内进行(见电滋波暗室).首先将信号发生器和功率放大器按一定要求或标准产生的电磁波信号经屏蔽电缆传翰到电磁波暗室内的发射天线，用放置在距离发射天线lm、3m或10m处转台上端的场传感器按校正格点逐点检验试验场强，然后移走场传感器，并向放t在转台上的被试设备发射均匀电磁波，通过对转台和天线塔的控制，实现对被试设备在不同方位下的辐射电磁场抗扰性试验。 (2)在TEM室内进行试验。首先将TEM室与信号发生器和功率放大器连接，按一定要求或标准在TEM室内产生均匀横向电磁场，并按如下方法检验试验场强。当频率大于10 MH:时，用功率计测量TEM室人端的人射功率Pi。。(W)和反射功率Pr。，(W)，TEM室内试验区域的场强为 :二半丫z。(尸.。。一尸r’，)，v/m(z) 一b甲一“、一‘。C一r’l/”厂“.‘、“‘式中Z。为TEM室的特性阻抗，O;b为TEM室试验空间内外导体板之间的距离，m。当频率小于10 MH:时，可以用伏特计直接测量TEM室内外导体的电压VRF(V)，TEM室内试验区域的场强为:一伞，v/m 0(3)然后将被试设备按一定的方位放置在TEM室的下部。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条