1) measurement coefficient
测量系数
1.
The method to gain measurement coefficient of an atomic force microscopy on the equation with a force-distance curve was discussed.
推导出根据原子力显微镜测量得到的电压信号计算法向力和横向力的公式,然后研究用力-距离曲线标定公式中测量系数的方法,并用几种不同的探针和试样测试和确定所用原子力显微镜的测量系数。
2) telemetering's factor
遥测量系数
3) NC measure system
数控测量系统
1.
The paper describes that quantity of data from the NC measure system be processed and analysed using AQS technology of Boeing company.
介绍了利用波音公司的AQS技术 ,对数控测量系统获得的大量数据进行统计分析。
4) noise factor measure
噪声系数测量
1.
The idea and method is also available for general noise factor measure calibration and error analysis.
详细分析了使用R&S公司的FSEK30频谱仪和FS-K3软件进行高增益器件噪声系数测量中的校准与测量误差问题。
5) measure of coefficient of against glint
逆反射系数测量
补充资料：半导体材料霍尔系数测量
半导体材料霍尔系数测量
Hall coefficient measurement for semiconductor material
bandaot一Calliao huoerx一shu Cel一Qng半导体材料公耳系数测里(Hall eoeffieientmeasurement for semieonduetor material)在电场作用于一可导电物体的同时加以磁场，将在该导电物体上，同时垂直于电场和磁场的方向上建立起一个新的电场，称为霍耳效应。半导体材料的霍耳效应比金属材料的霍耳效应尤为显著，它表征着半导体材料的某些基本特征，广泛用于半导体材料物性的测量。 一半导体材料在其x方向通以电流J二，在z方向加以均匀的磁场B:，在磁场中运动的荷电粒子洛劳仑兹力的作用，则在夕方向产生霍耳电场E，: E，=RHJxBz粤矛少、了 1 、-一一’一_一* 一艺卜户 工·口11州飞七犷衍· 洲‘针飞本 霍耳效应原理图式中J，为x方向电流密度，A/mZ;B二为z方向磁感应在测量霍耳系数的同时测出电阻率来，可计算出强度，T;E，为y方向霍耳电场，v/m;RH为霍耳系数，霍耳迁移率产n一{RH!氏m3/C。霍耳效应原理如图所示。由于半导体的性质依赖于温度，因此可利用霍耳 半导体材料中存在着电子和空穴两种载流子，根系数随温度的变化来确定杂质能级、禁带宽度以及迁据理论计算可知霍耳系数RH和两种载流子浓度之间移率的温度特性等，从而对材料的质量作出相应的估有如下关系:价。 _/、户一n护(冯仪) R“一一X‘一，二吮、‘’一 ‘、P+n犷式中￡为电子电量，C泌一群n/群p，为该半导体材料的电子迁移率与空穴迁移率之比;n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度，。m一3;r是接近于1的比例因子，与散射机构、温度、能带结构和磁场强度等有关。对于。型半导体，刀》，，R一素;对于p型半导体，，》、，RH、粤。可见，根据霍耳系数的符号可判定半导体 eP材料的导电类型，霍耳效应的值可计算出载流子浓度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条