1) piezoresistive detection technology
压阻检测技术
2) resistograph testing technique
阻力仪检测技术
1.
This paper described principles and applications of the resistograph testing technique for wood.
介绍木材阻力仪检测技术与原理、检测结果判断及国外研究人员应用木材阻力仪在判断木材内部腐朽状况、判断立木或人造板材密度和不同树种的阻力曲线与X射线密度曲线的比较等方面的现状;以及介绍我国研究人员利用木材阻力仪对古建筑木构件进行勘测和分析等情况。
3) piezoresistive detection
压阻检测
1.
In order to satisfy this request,a novel micro-gripper integrating tri-axial micro-force sensor,based on the technology of piezoresistive detection,is presented.
因此,该文提出了一种以压阻检测技术为基础,集成三维微力传感器的微夹持器。
4) inspection technology
检测技术
1.
Study on Integrity Inspection Technology for Buried Gas Pipelines;
埋地燃气管道综合检验检测技术研究
2.
Application of CCTV inspection technology in public drainage pipeline
闭路电视检测技术在公共排水管道检测评估中的应用
5) detection technique
检测技术
1.
The chemical pesticides in indoor air and their detection technique;
室内空气中的化学农药及其检测技术
2.
In this paper,the research development of detection technique on fruit juice adulteration was summarized.
对常见果汁掺假进行理化检测技术进行了综述。
3.
The system of evaluation is established so as to analyze and evaluate leak detection techniques in pipeline,and also compare their advantages and disadvantages.
从管道安全生产、降低事故危害、操作性及经济性等多角度全面分析管道泄漏检测诊断系统应具备的基本特性,建立评价指标体系,对常用油气管道泄漏检测技术进行分析评价,并比较其优缺点。
6) detecting technology
检测技术
1.
Study of Malware and its detecting technology;
典型恶意代码及其检测技术研究
2.
This paper overviews the current research situation of gas thickness detecting technology and introduces seven commonly used methods for gas thickness detecting at home and abroad,and their detecting principles,application ranges as well as their advantages and disadvantages.
分析了气体浓度检测技术的研究现状,介绍了目前国内外较为常见的7种气体浓度检测方法的检测原理、适用范围及其优缺点,并对气体浓度检测技术的发展前景进行了分析和展望。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条