1) Integral voltage
积分直流电位
2) direct potential
直流电位
1.
At the same time,direct potential(DP) appear.
试验发现真空度下降到一定值时屏蔽罩上形成的交流电位幅值会发生变化,同时屏蔽罩上还会有直流电位生成。
3) direct current deposition
直流电沉积
1.
Nanocrystalline nickel electrodeposited coatings with different thicknesses were fabricated using the method of direct current deposition by changing the concentrations of the special additive C7H4NO3SNa·2H2O, bath temperature and current density.
采用直流电沉积方法,通过改变特殊添加剂C7H4NO3SNa·2H2O浓度、沉积液温度、电流密度,制备出不同厚度的纳米晶镍覆层材料,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对沉积覆层材料的组织结构进行分析,从理论上推导了电流效率的计算公式,对不同工艺条件下电流效率的变化规律进行了研究。
2.
Electrodeposited nanocrystalline nickel coatings were prepared using direct current deposition method by changing the current density,bath temperature and concentrations of the special additive C_7H_4NO_3SNa·2H_2O.
采用直流电沉积方法,通过改变电流密度、沉积液温度、特殊添加剂C7H4NO3SNa。
4) DC electrodeposition
直流电沉积
1.
DC electrodeposition of ZnSe one-dimensional semiconductor nanomaterials;
直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料
2.
CdS nanowires have been prepar ed by DC electrodeposition in porous anodic aluminum oxide template, which is prod uced by DC anodic oxidation in the solution of phosphoric acid.
以AAO为模板,选用直流电沉积方法在孔内组装CdS半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均一、直径约为100nm、长度约为1。
3.
CdS nanowire arrays have been prepared by using dc electrodeposition in the porous anodic aluminum oxide template.
用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列,SEM和XRD的观察和测量表明,CdS纳米线尺寸均匀、排列规整,具有六方纤锌矿结构,Cd和S的化学计量比为1:1。
5) direct-current electrodeposition
直流电沉积
1.
Preparation and magnetic property of nickel nanowire by direct-current electrodeposition;
直流电沉积法制备镍纳米线(阵列)及其磁性能研究
6) d-c integrator
直流积分器
补充资料：直流电位差计
用于直流电路精确测量电压的电位差计。又称直流补偿器。分为经典式直流电位差计和直流电流比较仪式电位差计两大类。
原理和结构 1841年，J.C.波根多尔夫提出一种补偿方法（图1）, 使被测电压Ex与大小已知且可调的另一电压（称为补偿电压或标准电压）按相同极性对接,调节标准电阻器R 使检流计G指零,则对接的两根导线中没有电流,此时Ex被补偿，Ex与补偿电压相等：Ex=IR,已知电流I和电阻R 即可求得Ex。
图1中的补偿电压是恒定电流I在三端可变标准电阻器R上产生的，这是波根多尔夫的第一种补偿方法──恒定电流法。若令图中电阻R不变而改变电流I，同样可以得到大小已知且可调的补偿电压，这是波根多尔夫的第二种补偿方法──恒定电阻法。
经典式直流电位差计以电阻网络为基础，主要采用波根多尔夫的第一种补偿方法(图2), 也可采用第二种或兼容第一、第二种补偿方法。为了将电流I标定到一个准确的固定数值,直流电位差计中设置了由标准电池Ex、标准电阻器Rx组成的另一个补偿电路：当开关K在位置N时，改变调节电阻r使检流计G指零，得到；测量时，开关K放在位置X,调节标准电阻器R使检流计指零，得到。是两个电阻的比值，只要这个比值（而不是每一个个别的电阻器保持较高的准确度和稳定性，测量得到的数据的准确度就很高。这是直流电位差计比较容易做到较高的测量准确度的主要原因，也是直流电位差计按元件自检的根据。
直流电位差计包括 3个电路：测量电路即R、G和Ex；电流调定电路即Rx、Ex和G；辅助电源E和其调节电路即E、r，其中r是一个调节细度很高的网络。通常,G、E和Ex都是外接的。准确度较高的直流电位差计还有防泄漏屏蔽电路和静电屏蔽电路。产生补偿电压的标准电阻器R，实际上是一个复杂的多样化的电阻网络,可构成多种直流电位差计的电路，例如测量低电压的迪塞霍斯特电路、维纳电路,测量高电压的福伊斯纳-布鲁克斯电路等。
使用 直流电位差计主要用于精确测量(或比较)电压，或已转换为电压的各种电量、电参数。其主要优点是测量时不从被测回路取出电流，也无电流注入被测回路。当被测电压的大小超过电位差计的测量上限（一般只有几伏）时，要用分压器先将被测电压分压，然后进行测量。用直流电位差计测量被测电流在已知的标准电阻器上产生的电压降，可以间接测量电流。用直流电位差计比较四端电阻时，可以彻底消除电位端引线的影响。使用直流电位差计时，夏天因相对湿度较大，应注意消除泄漏电流的影响；冬天因相对湿度较低，应注意防止静电引起的干扰。测量低电压时，还应注意消除温差电动势等杂散电动势的影响。
直流电位差计按准确级别分为0.2、0.1、0.05、0.02、0.01、0.005、0.002、0.001等级别。使用时的配套部件有：标准电池、检流计、辅助电源、分压器、标准电阻器等。
原理和结构 1841年，J.C.波根多尔夫提出一种补偿方法（图1）, 使被测电压Ex与大小已知且可调的另一电压（称为补偿电压或标准电压）按相同极性对接,调节标准电阻器R 使检流计G指零,则对接的两根导线中没有电流,此时Ex被补偿，Ex与补偿电压相等：Ex=IR,已知电流I和电阻R 即可求得Ex。
图1中的补偿电压是恒定电流I在三端可变标准电阻器R上产生的，这是波根多尔夫的第一种补偿方法──恒定电流法。若令图中电阻R不变而改变电流I，同样可以得到大小已知且可调的补偿电压，这是波根多尔夫的第二种补偿方法──恒定电阻法。
经典式直流电位差计以电阻网络为基础，主要采用波根多尔夫的第一种补偿方法(图2), 也可采用第二种或兼容第一、第二种补偿方法。为了将电流I标定到一个准确的固定数值,直流电位差计中设置了由标准电池Ex、标准电阻器Rx组成的另一个补偿电路：当开关K在位置N时，改变调节电阻r使检流计G指零，得到；测量时，开关K放在位置X,调节标准电阻器R使检流计指零，得到。是两个电阻的比值，只要这个比值（而不是每一个个别的电阻器保持较高的准确度和稳定性，测量得到的数据的准确度就很高。这是直流电位差计比较容易做到较高的测量准确度的主要原因，也是直流电位差计按元件自检的根据。
直流电位差计包括 3个电路：测量电路即R、G和Ex；电流调定电路即Rx、Ex和G；辅助电源E和其调节电路即E、r，其中r是一个调节细度很高的网络。通常,G、E和Ex都是外接的。准确度较高的直流电位差计还有防泄漏屏蔽电路和静电屏蔽电路。产生补偿电压的标准电阻器R，实际上是一个复杂的多样化的电阻网络,可构成多种直流电位差计的电路，例如测量低电压的迪塞霍斯特电路、维纳电路,测量高电压的福伊斯纳-布鲁克斯电路等。
使用 直流电位差计主要用于精确测量(或比较)电压，或已转换为电压的各种电量、电参数。其主要优点是测量时不从被测回路取出电流，也无电流注入被测回路。当被测电压的大小超过电位差计的测量上限（一般只有几伏）时，要用分压器先将被测电压分压，然后进行测量。用直流电位差计测量被测电流在已知的标准电阻器上产生的电压降，可以间接测量电流。用直流电位差计比较四端电阻时，可以彻底消除电位端引线的影响。使用直流电位差计时，夏天因相对湿度较大，应注意消除泄漏电流的影响；冬天因相对湿度较低，应注意防止静电引起的干扰。测量低电压时，还应注意消除温差电动势等杂散电动势的影响。
直流电位差计按准确级别分为0.2、0.1、0.05、0.02、0.01、0.005、0.002、0.001等级别。使用时的配套部件有：标准电池、检流计、辅助电源、分压器、标准电阻器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条