半磁半导体,semimagnetic semiconductor,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) semimagnetic semiconductor 点击朗读

半磁半导体

A new class of magneto-optical switch effect, which does not require to change the direction of the magentic field applied to the sample, was realized in the semimagnetic semiconductor Cd_(1-x)Mn_xTe.

在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。

We also call it Semimagnetic Semiconductor (DMS). 点击朗读

在非磁半导体中掺入微量的磁性原子会改变半导体的某些性质，使其呈现出一定的磁性，从而形成稀磁半导体，也称作半磁半导体(DMS)。

2) Ⅱ-Ⅵ semimagnetic semiconductor 点击朗读

ⅡⅥ族半磁半导体

3) semimagnetic semiconductor 点击朗读

半磁性半导体

18eV above valence band is obtained by measuring the specific conductance of semimagnetic semiconductor Cd_(1-x)Mn_xTe in the temperature range between 77K and 300K.

通过测量半磁性半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ晶体在７７～３００Ｋ温度范围的电导率变化，得到了晶体的一个受主深能级约为０。

4) diluted magnetic semiconductors 点击朗读

稀磁半导体

Preparation and properties of diluted magnetic semiconductors; 点击朗读

稀磁半导体的制备与性质

Effect of Li on the electric properties of Mn_xCu_(1-x)O diluted magnetic semiconductors; 点击朗读

掺杂Li对Mn_xCu_(1-x)O稀磁半导体电学性质的影响

Preparation of ZnO Diluted Magnetic Semiconductors by Hydrothermal Method; 点击朗读

水热合成ZnO稀磁半导体的研究

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5) ferromagnetic semiconductor 点击朗读

铁磁半导体

In this year it consists of (1)magnetic shape memory functionac material;(2)high behaviour Nd-Fe-B permanent magnetic material;(3)improvement of Si steel sheet;(4) special magnetism of rare-earth-transtion metal compound;(5)magnetic propert of ferromagnetic semiconductor.

本年的介绍内容包含 :(1)磁形状记忆智能材料 ;(2 )高性能的Nd Fe B永磁材料 ;(3)Si钢片磁性的改进 ;(4 )稀土过渡金属化合物的特殊磁性 ;(5 )铁磁半导体的磁

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6) Diluted magnetic semiconductor 点击朗读

稀磁半导体

Studies of preparation and magnetism in Cr-doped ZnO diluted magnetic semiconductors; 点击朗读

Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究

Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition;

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

First-principles studies for the lattice constants,magnetism and electronic structures of diluted magnetic semiconductors (In_(1-x),Mn_x) As;

第一原理计算稀磁半导体(In_(1-x)Mn_x)As的晶格常数,磁性和电子结构

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补充资料：半磁半导体

半磁半导体
semimagnetic semiconductor

半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M，B型合金，由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成，其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子，具有彼强的局域自旋磁矩，与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果，产生一种新的交换作用，称为sP一d交换作用，使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近15年中，这方面工作已有很大的进展。结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金，其中M扩离子无规地取代化合物A，理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S，Se)、Znl一xMnxTe(S，Se)和窄能隙的Hg;一，Mn二Te(S，Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构，组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构，组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构，而在0.30正比于宏观体磁化强度M的平均场理论来描述改变了的载流子行为。有效g因子通过磁化强度M反映其与温度、组分和磁场的依赖关系。增强磁场和降低温度均能使交换作用贡献增强。窄能隙Hgl一二MnxTe在低温下甚至发生价带、导带朗道子能级的重叠并使朗道子能级次序发生变化。对Cdl一二Mn二Se:x二O时有效g因子g才=0.5，而x=0.1时，g*=170。有效g因子增强了两个量级。 ②反常大的磁光效应。磁离子对外磁场有很大的响应，如同外磁场的“放大器”，其振幅比普通半导体中磁光效应强102一103倍。最为突出的是宽能隙Cd卜xMn二Te(S，Se)在外磁场下的激子带发生巨大的塞曼分裂，从而导致带间范围显示很强的激子巨法拉第效应，较CdTe的法拉第旋转角大103倍。同时测量法拉第效应、磁反射谱和磁化强度，可精确地确定不同材料中表征交换作用贡献的交换积分常数。在n一Cdoo5Mnoo5Se中发现反常大的自旋反转拉曼散射斯托克斯位移，较Cdse的大两个数量级。同时还观察到与束缚磁极化子的形成有关的零场下斯托克斯移位。此外在A卜二Mn、砂系列Pbl_xMnxTe中还观察到与自由磁极化子形成有关的零场下自旋分裂。 ③SdH量子振荡的振幅与温度非单调反常依赖关系。n一Hg卜xMn，Te(Se)的振荡的振幅中包含与有效g因子有关的余弦因子，有效g因子随温度而变化。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

稀磁半导体(DMS) 稀释磁性半导体半导体磁阻效应

磁性半导体半导体磁头强磁半导体磁阻半导体磁性半导体晶体

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 半磁半导体 1) semimagnetic semiconductor 半磁半导体 1. A new class of magneto-optical switch effect, which does not require to change the direction of the magentic field applied to the sample, was realized in the semimagnetic semiconductor Cd_(1-x)Mn_xTe. 在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。 2. We also call it Semimagnetic Semiconductor (DMS). 在非磁半导体中掺入微量的磁性原子会改变半导体的某些性质，使其呈现出一定的磁性，从而形成稀磁半导体，也称作半磁半导体(DMS)。 2) Ⅱ-Ⅵ semimagnetic semiconductor ⅡⅥ族半磁半导体 3) semimagnetic semiconductor 半磁性半导体 1. 18eV above valence band is obtained by measuring the specific conductance of semimagnetic semiconductor Cd_(1-x)Mn_xTe in the temperature range between 77K and 300K. 通过测量半磁性半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ晶体在７７～３００Ｋ温度范围的电导率变化，得到了晶体的一个受主深能级约为０。 4) diluted magnetic semiconductors 稀磁半导体 1. Preparation and properties of diluted magnetic semiconductors; 稀磁半导体的制备与性质 2. Effect of Li on the electric properties of Mn_xCu_(1-x)O diluted magnetic semiconductors; 掺杂Li对Mn_xCu_(1-x)O稀磁半导体电学性质的影响 3. Preparation of ZnO Diluted Magnetic Semiconductors by Hydrothermal Method; 水热合成ZnO稀磁半导体的研究更多例句>> 5) ferromagnetic semiconductor 铁磁半导体 1. In this year it consists of (1)magnetic shape memory functionac material;(2)high behaviour Nd-Fe-B permanent magnetic material;(3)improvement of Si steel sheet;(4) special magnetism of rare-earth-transtion metal compound;(5)magnetic propert of ferromagnetic semiconductor. 本年的介绍内容包含 :(1)磁形状记忆智能材料 ;(2 )高性能的Nd Fe B永磁材料 ;(3)Si钢片磁性的改进 ;(4 )稀土过渡金属化合物的特殊磁性 ;(5 )铁磁半导体的磁更多例句>> 6) Diluted magnetic semiconductor 稀磁半导体 1. Studies of preparation and magnetism in Cr-doped ZnO diluted magnetic semiconductors; Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究 2. Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition; 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究 3. First-principles studies for the lattice constants,magnetism and electronic structures of diluted magnetic semiconductors (In_(1-x),Mn_x) As; 第一原理计算稀磁半导体(In_(1-x)Mn_x)As的晶格常数,磁性和电子结构更多例句>> 补充资料：半磁半导体半磁半导体 semimagnetic semiconductor 半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M，B型合金，由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成，其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子，具有彼强的局域自旋磁矩，与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果，产生一种新的交换作用，称为sP一d交换作用，使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近15年中，这方面工作已有很大的进展。结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金，其中M扩离子无规地取代化合物A，理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S，Se)、Znl一xMnxTe(S，Se)和窄能隙的Hg;一，Mn二Te(S，Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构，组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构，组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构，而在0.30正比于宏观体磁化强度M的平均场理论来描述改变了的载流子行为。有效g因子通过磁化强度M反映其与温度、组分和磁场的依赖关系。增强磁场和降低温度均能使交换作用贡献增强。窄能隙Hgl一二MnxTe在低温下甚至发生价带、导带朗道子能级的重叠并使朗道子能级次序发生变化。对Cdl一二Mn二Se:x二O时有效g因子g才=0.5，而x=0.1时，g=170。有效g因子增强了两个量级。 ②反常大的磁光效应。磁离子对外磁场有很大的响应，如同外磁场的“放大器”，其振幅比普通半导体中磁光效应强102一103倍。最为突出的是宽能隙Cd卜xMn二Te(S，Se)在外磁场下的激子带发生巨大的塞曼分裂，从而导致带间范围显示很强的激子巨法拉第效应，较CdTe的法拉第旋转角大103倍。同时测量法拉第效应、磁反射谱和磁化强度，可精确地确定不同材料中表征交换作用贡献的交换积分常数。在n一Cdoo5Mnoo5Se中发现反常大的自旋反转拉曼散射斯托克斯位移，较Cdse的大两个数量级。同时还观察到与束缚磁极化子的形成有关的零场下斯托克斯移位。此外在A卜二Mn、砂系列Pbl_xMnxTe中还观察到与自由磁极化子形成有关的零场下自旋分裂。 ③SdH量子振荡的振幅与温度非单调反常依赖关系。n一Hg卜xMn，Te(Se)的振荡的振幅中包含与有效g因子有关的余弦因子，有效g因子随温度而变化。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条稀磁半导体(DMS) 稀释磁性半导体半导体磁阻效应

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