1) high value center
高值中心
2) value-focused thinking(VFT)
价值中心
1.
The paper structures the value model of evaluation index of anti-infrared discrimination,and exploits the graded function of evaluation index using value-focused thinking(VFT).
弹头和诱饵的反红外识别能力是导弹突防能力的重要内容,利用价值中心(value-focused thinking,VFT)法构建弹头和诱饵反红外识别能力评估指标的价值模型,并分析了评估指标的评分函数,来研究影响弹头和诱饵反红外识别能力的关键指标。
3) low value center
负值中心
4) center difference
中心插值
1.
The disturbed speed and acceleration of the journal center were obtained by the method of center difference of its displacement.
建立了新型弹性箔片动压气体轴承性能测试实验台,在静载60 N、转速9 000 r/m in条件下进行轴承性能测试试验,通过中心插值法获得轴承中心的扰动速度和加速度,采用时域最小二乘法计算不同激振频率下的8个轴承动态线性刚度和阻尼系数,考察了激振频率对轴承动特性系数的影响。
5) central resistance value
中心阻值
6) Voucher Center
充值中心
1.
Chongqing telecom charge cost center (Voucher Center, which is called VC), may use the unitive connection code to realize to each kind of pre-payment account number/card number charge cost, the inquiry is charged by the cost account number/card number and charge cost account number cryptogram is revised.
重庆电信充值中心(Voucher Center,简称VC),可以利用统一的接入码实现对各种预付费帐号/卡号的充值、查询被充值帐号/卡号余额和修改被充值帐号密码等功能。
2.
After the establishment of the second stage of the Backbone network of China Mobile, the customers of prepaid cards in all provinces have been recharging by the voucher center.
中国移动智能网骨干网二期工程建成后,各地预付费用户一直使用北京VC(voucher center,充值中心)进行充值。
补充资料：高阈值逻辑电路
由二极管-晶体管逻辑电路 (DTL)和改进型二极管-晶体管逻辑电路(M－DTL)改进而来的一种高阈值双极型中、低速数字集成电路，简称HTL电路。HTL电路具有很好的抗干扰性能。图中表示从DTL电路到HTL电路的改进过程。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条