1) elevation measurement
俯仰角参数测量
2) pitch angle detector
俯仰角测定器
3) angle of site scale
俯仰角读数标尺
4) elevation measurement
仰角测量
1.
C~2 algorithm used in low-altitude target elevation measurement with monopulse radar;
单脉冲雷达低仰角测量的C~2算法研究
5) pitch angle
俯仰角
1.
The variable relationships between the electromagnetic scattering characteristics of serrated steps and the number,serrate angle or the pitch angle against incoming direction of wave were studied in a series of radar cross section(RCS) testing.
通过系列雷达散射截面(RCS)测试,研究分析了锯齿台阶电磁散射特性与其锯齿齿数、锯齿角度、相对于电磁波入射方向的俯仰角之间的变化关系,并将锯齿台阶散射结果与单直台阶进行比较,分析了各参数对锯齿台阶散射的影响。
2.
The electromagnetic computation data under different pitch angles,azimuth angles and polarizations are processed using SAR imaging algorithm,and the varying relations between the target scattering characteristics and the pitch angle,azimuth angle and polarization,as well as the relations with different polarization channels for target scattering peaks,are studied.
通过对导弹发射车电磁计算数据进行不同姿态角和极化方式下的SAR成像处理,分析了不同俯仰角、方位角和极化方式下目标散射特性的变化规律;研究了不同极化通道目标峰值散射强度随方位角的变化关系,从计算数据中得到了目标的一些基本特性;进一步探讨了SAR目标计算数据在目标识别与分类中的应用前景。
3.
The paper analyzed the correlation of pitch angle and roll angle,which were measured by magnetic head flying angle adjustment apparatus,and introduced a method of angle adjusting.
分析了磁头飞行角度调校仪器不同工位测量磁头俯仰角和翻转角之间的相关性,并简单介绍了角度调校方法。
6) pitching angle
俯仰角
1.
A new method is given at first to control the pitching angle and pitching velocity of the launched missiles in this paper,then,a mathematical model and a digital simulation program are set up to analyze the dynamic performance of the the missile ejection mechanism.
提出一种准平行机构控制导弹离机俯仰角的新方法。
2.
By taking into considerations of such aspects as geometry containing, the robot center of gravity (CG) and the influence of maximum pitching angle on the possible overturning of the roobt, the paper puts forwards the necessary condition of stairs for the robot to.
从机器人对楼梯的几何包容、机器人重心和机器人爬楼梯过程中的最大俯仰角对机器人倾覆的影响等多方面考虑 ,得出机器人能够爬越楼梯时楼梯参数必须满足的条件 。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条