1) Anti-surge system
防浪涌器
2) silicon surge protection device
半导体浪涌防护器
1.
Based on the model of thyristor short circuit emitter, a novel multi cell structure model for silicon surge protection device is proposed in this paper.
由晶闸管短路发射极模型提出了半导体浪涌防护器的一种多元胞结构 ,分析了该模型的转折特性与维持电流IH。
3) surging prevention
防浪涌保护
4) anti-surge technology
防浪涌技术
1.
It provides reference for the anti-surge technology.
介绍了RS-485通信网络和浪涌产生的形式、原因,针对不同形式的系统浪涌对RS-485总线通信网络正常工作的影响,提出了隔离、规避以及两者相结合的防护措施,并结合整个通信系统给出了正确选择保护方式的方法,为防浪涌技术的发展,提供了借鉴。
5) surge protector
浪涌保护器
1.
In order to protect electronic equipment against the damage of surge voltage,the basic working principle,classification and its action of surge protector SPD were discussed,the application of surge protector SPD was introduced from power system,feedback system,signal system and grounding system,which can provide references for design of lightning protection of electronic equipment in building.
为了保护电子设备免受浪涌过电压的破坏,探讨了浪涌保护器SPD的基本工作原理、分类及其作用,并从电源系统、天馈系统、信号系统和接地系统四个方面介绍了浪涌保护器SPD的应用,为建筑物内电子设备的防雷保护设计提供了参考。
6) surge protective device(SPD)
浪涌保护器
1.
To reduce the ensuing excessive voltage and current so as to safeguard the electronic equipment,this paper elaborates on the method about programming the thunderbolt shield subarea,determining the thunderbolt shield grade,sorting out the protected equipment and then configuring suitable surge protective device(SPD) for the dispatching automation system.
为降低雷击产生的过电压和过电流,以保护各类电子设备,阐述了如何为调度自动化系统规划雷电防护分区和确定雷电防护等级,以及如何将被保护设备分类,从而配置合适的浪涌保护器的具体方法。
补充资料：浪涌抑制器
浪涌抑制器
surge eliminator
熄弧。由于充气放电管击穿时放电电压、电流突变可能冲击被保护的电路。因此在使用时，应将它安装在高阻抗箱人电路的前面，以避免电路中动态负阻抗冲击的影响。 如图l所示的三电极充气放电管，将两个电极连接到线路上，而第三个电极接地，这种器件不仅可以有效地克服共模瞬变过程.还能克服差模瞬变过程和不平衡共模瞬变过程。 金属氧化物变阻器(压敏电阻〕是含有氧化锌、铸、钻、锰等氧化物的电阻器，一般称作压敏电阻。金图l三电极充气放电管属氧化物变阻器的阻值呈现极强的非线性，其伏安特性可以用公式I二kU”(式中，k为常数，U为变阻器的端电压，指数”的范围为2~2.5，I为流过变阻器的电流)及图2表示。由图可见，正常情况下，流过变阻器的电流很小。当流过变阻器的电流增加时，变阻器的电阻迅速减小，结果是变阻器端电压的增加远远小于电流的增加，而达到限幅的目的。浪涌过后能自动恢复正常，响应时间为毫徽秒。变阻器的优点是:电压、电流额定值有较宽范围，通流容量大，伏安特性具有对称性，具有很好的限压性能和对称籍位特性。缺点是:极间电容较大，在正常时也从线路上吸收一些无功图2压敏电阻的伏安特性功率，特别是高颇时对线路的阻抗有影响，在射颇电路中影响信号传翰，需谨懊使用。变阻器与被保护电路之间的配线应尽可能短，以减小杂散电感，提高保护效果，流有浪涌放电回路的线应尽可能远离信号线，在70~85℃温度范围内使用变阻器时应降倾使用。变阻器上通过的浪涌能量超过允许值时有烧坏的可能，为防止短路引起的故障，可申接一熔断器一起使用。 硅雪崩抑制器一种具有雪崩效应的硅半导体二极管，它具有很快的响应时间(纳秒级)和很好的籍位功能(导通时具有低电压降)，可以有效地抑制线路感应的电磁脉冲。硅雪崩抑制器限于在较低的电压下使用，由于半导体允许通过的峰值电流比较小，所以一般都用在设备的内部电路。如将它与其它的保护器结合使用，可以有效抑制电磁脉冲.硅雪崩抑制器的吸收能力取决于其PN结的面积，峰值功率可达4o0w到500Ow，可用在5~300V的电路中。对较窄脉冲，其吸收功率峰值较大;对较宽脉冲.其吸收功率峰值较小;对重复的高颇过电压，有很好的抑制效果且有较好的籍位特性。 浪涌抑制器混合网络由两个以上的浪涌抑制器组成。用来增强抑制电压、电流的能力，改善对瞬变过程的响应和消除单一器件工作时可能伴有的有害特性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条