1) RF devices
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RF器件
4) RF/microwave components
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RF/微波MEMS元件
1.
Both circuits and systems exploiting RF/microwave components are also described on the basis of RF/microwave components.
着重论述了RF/微波MEMS元件及其制造技术、封装要求和设计,并在此基础上阐述RF/微波MEMS元件的应用电路和系统。
5) RF pulse compressor
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RF脉冲压缩器
6) RF power amplifier
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RF功率放大器
1.
With the development of the telecommunication, RF power amplifier has a promising future.
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SOI-LDMOS(Lateral Diffused MOSFET)作为RF功率放大器中的功率放大管影响着整个放大器乃至整个电路的性能,RF电路要求SOI-LDMOS能有较高的耐压(30V)和较高的截止频率(2。
补充资料:Rf-COOH-Rf-SO3H 
分子式:
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条