1) S-D effect material
S-D效应材料
2) strength different effect
S-D效应
3) s-d interaction effect
s-d互作用效应
4) s-d exchange effect
s-d交换效应
6) element failure strain
材料失效应变
1.
The curve of correction factor(α) of the element failure strain to the size of the element is found.
通过改变有限元网格大小,确定不同网格密度对应的材料失效应变与工程断裂应变的关系,绘制了数值计算中材料失效应变的修正系数α曲线。
补充资料：材料电光效应
分子式：
CAS号：
性质：某些材料当受外加电场作用后，其光学介电性能改变的现象。外加电场可以是静电场、微波电场，也可以是光学电磁场。一些晶体电光作用基本上来源于电子；另一些晶体中电光作用与振荡模式有关。电光效应在有些情况下随外加电场而呈线性变化；另一些情况下则随场强呈二次方变化。重要的电光材料有铌酸锂、钽酸锂(焦铌酸钙)、磷酸二氢钾、铌酸钡锶(SrxBa1-xNb2O6)，磷酸二氢钾，钽铌酸钾[K(TaxNb1-x)O3]、铌酸钡钠(Ba·NaNb5O15)等铁电晶体和透明铁电陶瓷如锆钛酸镧铅[(Pb，La)(Zr，Ti)O3]等。由于极化状态或相变或折射率随电场而变,这类材料应用广泛如光学振荡器、频率倍增器、激光频振腔中的电压控制开关，光学通讯系的调制器，以及光的存贮和图像显示等。
CAS号：
性质：某些材料当受外加电场作用后，其光学介电性能改变的现象。外加电场可以是静电场、微波电场，也可以是光学电磁场。一些晶体电光作用基本上来源于电子；另一些晶体中电光作用与振荡模式有关。电光效应在有些情况下随外加电场而呈线性变化；另一些情况下则随场强呈二次方变化。重要的电光材料有铌酸锂、钽酸锂(焦铌酸钙)、磷酸二氢钾、铌酸钡锶(SrxBa1-xNb2O6)，磷酸二氢钾，钽铌酸钾[K(TaxNb1-x)O3]、铌酸钡钠(Ba·NaNb5O15)等铁电晶体和透明铁电陶瓷如锆钛酸镧铅[(Pb，La)(Zr，Ti)O3]等。由于极化状态或相变或折射率随电场而变,这类材料应用广泛如光学振荡器、频率倍增器、激光频振腔中的电压控制开关，光学通讯系的调制器，以及光的存贮和图像显示等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条