1) carrier lifetime
载流子寿命
1.
A New Method of Extraction Carrier Lifetime for IGBT n-Layers;
提取IGBT外延层载流子寿命的新方法(英文)
2.
The average carrier lifetimes are 168.
用微波反射光电导衰减法(-μPCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础。
3.
The influences of the injection current and carrier lifetime of semiconductor optical amplifier(SOA) on the switching window of ultrafast nonlinear interferometer(UNI) were studied by proceeding simulation and experiment.
对影响超快非线性干涉仪(UNI)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流及载流子寿命进行了数值模拟实验研究。
2) minority carrier lifetime
少数载流子寿命
1.
The minority carrier lifetime ( τ ) in the base region of a solar cell is one of the most important parameters that affects the conversion efficiency of the device.
太阳电池基区的少数载流子寿命是影响电池效率的重要因素之一。
2.
A new method of microwave reflectance applied in measurement for the minority carrier lifetime in HgCdTe is introduced.
介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。
3.
Through measuring I-V character of solar cells, short circuit current and open circuit voltage and series resistant and shunt resistant could be gained, and then minority carrier lifetime and dark saturation current are calculated by the new method.
本文通过对测试少数载流子寿命的各种方法进行分析后提出了一种新的测量成品太阳电池基区少数载流子寿命的方法,这种方法通过分析太阳电池的Ⅰ-Ⅴ特性得到基区少数载流子寿命与太阳电池开路电压、短路电流的关系。
3) lifetime of optically excited carriers
光生载流子寿命
4) SOA carrier lifetime
SOA载流子寿命
5) carrier life time
载流子寿命时间
6) bulk carrier lifetime
体载流子寿命
补充资料：载流子寿命
载流子寿命
life time of carriers
20!{一UZ{shoUmlng载流子寿命(life time of earriers)非平衡载流子在复合前的平均生存时间，是非平衡载流子寿命的简称。在热平衡情况下，电子和空穴的产生率等于复合率，两者的浓度维持平衡。在外界条件作用下(例如光照)，将产生附加的非平衡载流子，即电子一空穴对;外界条件撤消后，由于复合率大于产生率，非平衡载流子将逐渐复合消失掉，最后回复到热平衡态。非平衡载流子浓度随时间的衰减规律一般服从exp(一t/:)的关系，常数:表示非平衡载流子在复合前的平均生存时间，称为非平衡载流子寿命。在半导体器件中，由于非平衡少数载流子起主导作用，因此r常称为非平衡少数载流子寿命，简称少子寿命。:值范围一般是10一‘一103那。复合过程大致可分为两种:电子在导带和价带之间直接跃迁，引起一对电子一空穴的消失，称为直接复合;电子一空穴对也可能通过禁带中的能级(复合中心)进行复合，称为间接复合。每种半导体的r并不是取固定值，将随化学成分和晶体结构的不同而大幅度变化，因此，寿命是一种结构灵敏参数。二值并不总是越大越好。对于Si单晶棒和晶体管的静态特性来说，希望:值大些。但是，对于在高频下使用的开关管，却往往需要掺杂(扩散金)，以增加金杂质复合中心，降低:值，提高开关速度。近年来，在电力电子器件生产中，常用电子束辐照代替掺金，降低:值。在Si和GaAs材料、器件和集成电路生产过程中，二值是必须经常检测的重要参数。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条