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1)  isospin-and momentum-dependent transport model IBUU04
输运模型IBUU04
1.
Based on the isospin-and momentum-dependent transport model IBUU04,the transverse momentum distri- butions of the free neutron-proton ratio in the ~(132)Sn+~(124)Sn reaction system at mid-central collisions with beam energies of 400/AMeV,600/AMeV and 800/AMeV are studied by using two different symmetry energies.
基于同位旋和动量依赖的强子输运模型IBUU04,采用两种具有不同密度依赖的对称能研究了~(132)Sn+~(124)Sn反应系统在400MeV/A,600MeV/A,800MeV/A三种不同碰撞能量下中快度发射核子中-质比随横动量的变化关系。
2)  transportation model
运输模型
1.
Aiming at a case of fuel loading barges,the paper uses the theory and method of Operations Research to establish the transportation model,solves the model with software QM for windows to get allocation scheme of minimal electricity consumption of fuel loading barges and compares the best allocation scheme and normal operation scheme.
针对一起燃料油装船的案例,使用运筹学的原理和方法,根据实际情况建立了运输模型,利用QMfor windows软件求解该运输模型,得出了油泵输送燃料油装船耗电量最小的分配方案,并将此最佳分配方案与平时的常规操作方案进行了比较。
2.
Then, the transportation modelis introduced into the spatial load forecasting.
然后采用用地仿真法,建立负荷分布的运输模型,通过求解模型获得负荷的具体分布情况,通过自上而下的负荷细分,获得具体的负荷增长情况。
3.
In this paper, SLF for Dahao District, Shantou City is made, using fuzzy evaluation and transportation model to achieve optimal land allocation.
对此 ,采用了模糊评分、运输模型求解最优等手段 ,对汕头市达濠区进行了空间负荷分布预测 ,其结果能够满足实际工作中的要求。
3)  transport model
运输模型
1.
Transport network graph in accord with time restriction is built according to graph theory,and multi-aviation ammunition transport model is constructed under the conveyance ability restriction.
根据图论理论生成符合时限要求的运输网络形图,构建了在运力约束下多种航空弹药的运输模型,并用KSHWC算法对模型进行求解,同时也运用单纯形法对无约束的情况进行了求解,并对两种求解结果进行了比较,发现KSHWC算法能够在容量限制的范围内,充分优化运输方案。
2.
It applied linear transport model to implement the optimal allocation planning for cargo flow.
主要阐述基于遗传算法原理,采用线性规划中的运输模型,对货流进行最优分配规划。
4)  transport model
输运模型
1.
The transport model of macroscopic particles in plasma is introduced, and the acceleration, the velocity and the time of the descent of the particles are calculated.
建立了等离子体中宏观粒子的输运模型 ,计算了粒子沉降的加速度、速度和时间 ,得出了粒子收集的判据和沉降过程中提纯效应可提高很多的结论 。
2.
This paper analyzes the carrier non local transport model of small size semiconductor devices and studies the influences of nonsymmetrical band structure and heterogeneous effect on emphasis.
系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 。
3.
We propose a simple hadronic transport model for investigating the K+/π+ratio in relativistic nucleus-nucleus collisions and point out that the thermal motion of baryons and multiple rescattering effect play an important role in the enhancement of K+/π+ ratio.
提出了一个研究相对论性核碰撞中Ｋ＋／π＋增强的简单的强子输运模型，指出了核子热运动和多次再散射效应的重要性。
5)  band transport model
带输运模型
1.
Both dynamic mechanisms and diffraction characteristics of the local volume photorefractive holographic gratings recorded by two finite bounded plane waves in doubly doped LiNbO_3∶Fe∶Mn crystals are investigated,by taking into account both the band transport model and two-dimensional coupled-wave theory.
将带输运模型与二维耦合波理论相结合,研究了双掺杂LiNbO3∶Fe∶Mn晶体中由两束有限宽度平面波干涉产生的局域光折变体全息的动力学机制及其衍射特性。
2.
The band transport model is now a widely accepted photorefractive theory.
带输运模型是目前被广泛接受的光折变理论。
3.
Based on the two-center nonvolatile holographic recording method and the theory model combining band transport model with the two-dimensional coupled-wave equations, the numerical simulation method is used to study the photorefractive formation and diffractive properties of the crossed-beam photorefractive gratings.
为研究局域体光栅的光折变形成机制及衍射特性,以双中心非挥发全息记录方案为基础,将带输运模型与二维耦合波理论相结合,采用数值模拟的方法,研究紫外敏化光强和记录红光总光强的变化对LiNbO_3:Fe:Mn晶体中局域体光栅的影响,并给出定影结束时平均折射率调制、衍射光波振幅及衍射效率的模拟结果。
6)  TP transport equation
TP输运模型
补充资料：半导体的导电与电荷输运


半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有 肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有 ，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为 卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕 丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。 对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴 磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。 强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。
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参考词条