1) total gas flow rate
反应气体流量
1.
It is found in the high rate deposition microcrystalline silicon solar cells by very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor(VHF-PECVD) that the performances of the two solar cells which use the intrinsic microcrystalline deposited at two different total gas flow rate of 100 sccm and 500 sccm as their i-layers are obviously different.
因此得出:在高压高速沉积μc-Si薄膜过程中,反应气体流量对μc-Si的纵向结构有很大影响,选择适合的反应气流量能够调节适宜的气体滞留时间,从而减小薄膜的纵向不均匀性。
2) reaction gas flow speed
反应气流量
3) reactant gas ration
反应源气体流量比
1.
The influences of reactant gas ration and reaction pressure on dielectric constant,electronic properties and surface properties were systematically discussed,which is beneficial to preparing high property silicon nitride film as gate insulator layer for p-Si Thin Film Transistor.
系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对 SiN 薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响。
4) Reactive gas flow rate
反应气体流
5) reactor fluid mechanics simulation
反应室气流流体力学
1.
This software package includes three subsystems: reactor fluid mechanics simulation subsystem, reaction thermodynamic simulation subsystem, deposition kinetics simulation subsystem.
该系统包含反应室气流流体力学模拟、化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等 ３ 个子系统， 它们可以独立运行， 也可以联合运行。
6) reactant gas
反应气体
1.
Major factors affecting the MCFC, including operating pressure, temperature, composition and utilization of reactant gases, impurities, current density and operating time were anlyzed.
对MCFC主要性能影响因素 :工作压力、温度、反应气体的组成和利用率、杂质、电流密度和工作时间等进行了分析。
补充资料：气体流量计
分子式：
CAS号：
性质：计量气体流量的仪表。安装在管路中记录流过的气体量。通常装于煤气用户以记录煤气用量，因而俗称煤气表。但也可用于其他气体的计量。有干式和湿式两种。干式气体流量计常用的是滑瓣式气表。内部装有皮革或塑料制成的气袋，袋壁能随气体进入或排出而伸缩，通过滑瓣连接到记录仪表，以记录流过的体积。湿式气体流量计主要是在一外壳内有一个具有A、B、C、D四个室的转鼓。鼓的下半部浸没于水中。气体由中央E处依次进入各室，由顶部排出时迫使转鼓转动。转动的次数，通过记录器作出记录，从而得出累计量。
CAS号：
性质：计量气体流量的仪表。安装在管路中记录流过的气体量。通常装于煤气用户以记录煤气用量，因而俗称煤气表。但也可用于其他气体的计量。有干式和湿式两种。干式气体流量计常用的是滑瓣式气表。内部装有皮革或塑料制成的气袋，袋壁能随气体进入或排出而伸缩，通过滑瓣连接到记录仪表，以记录流过的体积。湿式气体流量计主要是在一外壳内有一个具有A、B、C、D四个室的转鼓。鼓的下半部浸没于水中。气体由中央E处依次进入各室，由顶部排出时迫使转鼓转动。转动的次数，通过记录器作出记录，从而得出累计量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条