1) non-linear safety margin
非线性安全余量
2) safety margins
安全余量
1.
We established the safety margins contained basic variable with the distinct concept,and gave the calculating formulae of the reduced member stiffness matrix and the opposite sign of the equivalent nodal force with failure occurred at beam-member or plate-member.
本文就可靠性分析问题建立了概念清晰、含有基本变量的安全余量,给出板元和梁元失效后,减缩刚阵和反向节点力的计算公式。
3) safety margin
安全余量
1.
The safety margin of every slice is assumed to be normal distribution and the safety margin of two next slices is bivariate normal distribution.
将滑动面上的土体按等弧长划分为n个土条,假设每个土条的安全余量服从正态分布,相邻两个土条的安全余量则服从二元正态分布,根据土条破坏传播的概率,计算土坡渐进破坏的概率以及土坡中裂缝开展长度的期望值, 并对算例的结果进行了讨论。
2.
In the paper the reliabilty analysis of structural systems with member cross-sectional area,length and loads,being random variables,adopting stochastic finite element method to give safety margins of failure modes.
对结构元件的面积、长度、材料弹性模量和外载均为随机变量的结构系统进行可靠性分析，采用随机有限元法给出失效模式的安全余量，利用安全余量的相关性和ＰＮＥＴ法［１］计算结构系统的失效概
3.
Hence how to identify the dominant failure paths and how to generate the structural safety margins are also the matters that should be solved.
在实际工程结构中，多数结构都是超静定结构，因而存在着很多可能的失效路径，如何有效的识别其中的主要失效路径和形成结构的安全余量仍是值得研究的内容。
4) the calculating method of nonlinear safe energy
非线性安全能量计算方法
5) not safety
非安全性
1.
The "proper law" is the principle of a law choice,it should be a good law according to this principle of a law choice,but the justice is equal,the order is a standard to measure the good law;But the application of the proper law s principle exsits localization,not safety and uncertainty,have the certain influence to the law order stability.
那么,依此原则所选的法律应该是良法,而正义平等、秩序是衡量良法的标准;但适当法原则的运用存在着局限性、非安全性和不确定性,对法律秩序稳定性有一定影响。
6) nonlinear complementarity
非线性互余
1.
Solving nonlinear complementarity problem by homotopy method;
解非线性互余问题的同伦方法
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条