Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜,Mn_xGe_(1-x) dilute magnetic semiconductor thin films,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) Mn_xGe_(1-x) dilute magnetic semiconductor thin films 点击朗读

Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜

2) diluted magnetic semiconductors 点击朗读

稀磁半导体

Preparation and properties of diluted magnetic semiconductors; 点击朗读

稀磁半导体的制备与性质

Effect of Li on the electric properties of Mn_xCu_(1-x)O diluted magnetic semiconductors; 点击朗读

掺杂Li对Mn_xCu_(1-x)O稀磁半导体电学性质的影响

Preparation of ZnO Diluted Magnetic Semiconductors by Hydrothermal Method; 点击朗读

水热合成ZnO稀磁半导体的研究

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3) Diluted magnetic semiconductor 点击朗读

稀磁半导体

Studies of preparation and magnetism in Cr-doped ZnO diluted magnetic semiconductors; 点击朗读

Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究

Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition;

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

First-principles studies for the lattice constants,magnetism and electronic structures of diluted magnetic semiconductors (In_(1-x),Mn_x) As;

第一原理计算稀磁半导体(In_(1-x)Mn_x)As的晶格常数,磁性和电子结构

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4) DMS

稀磁半导体

Preparation and Physical Properties of ZnO Based DMS Nanofibers; 点击朗读

ZnO基稀磁半导体纳米纤维的制备及物性研究

Hydrothermal Synthesis of the ZnO Based DMS; 点击朗读

水热法合成ZnO基稀磁半导体材料

A series of nanocrystalline powders of Ti1-xFexO2 diluted magnetic semiconductors(DMS)have been obtained by using a hydrothermal method with substituent fraction x from 0 to 0.

本论文采用水热法制备Fe掺TiO2稀磁半导体Ti1-xFexO2(x=0～0。

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5) Dilute magnetic semiconductor 点击朗读

稀磁半导体

It is found that the ferromagnetic (FM) state will be realized in V and Cr doped CdGeP 2 and ZnGeP 2; for Mn, Fe and Co doped ones, the antiferromagnetic (AFM) states are more stable than FM states; whereas doped with Ni, the dilute magnetic semiconductor (DMS) shows .

结果发现 :V和Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现铁磁状态(FM) ,Mn ,Fe以及Co掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现反铁磁状态 (AFM) ,而Ni掺杂时 ,稀磁半导体 (DMS)的磁性比较不稳定。

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6) Semiconductor thin films 点击朗读

半导体薄膜

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补充资料：半磁半导体

半磁半导体
semimagnetic semiconductor

半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M，B型合金，由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成，其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子，具有彼强的局域自旋磁矩，与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果，产生一种新的交换作用，称为sP一d交换作用，使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近15年中，这方面工作已有很大的进展。结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金，其中M扩离子无规地取代化合物A，理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S，Se)、Znl一xMnxTe(S，Se)和窄能隙的Hg;一，Mn二Te(S，Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构，组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构，组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构，而在0.30正比于宏观体磁化强度M的平均场理论来描述改变了的载流子行为。有效g因子通过磁化强度M反映其与温度、组分和磁场的依赖关系。增强磁场和降低温度均能使交换作用贡献增强。窄能隙Hgl一二MnxTe在低温下甚至发生价带、导带朗道子能级的重叠并使朗道子能级次序发生变化。对Cdl一二Mn二Se:x二O时有效g因子g才=0.5，而x=0.1时，g*=170。有效g因子增强了两个量级。 ②反常大的磁光效应。磁离子对外磁场有很大的响应，如同外磁场的“放大器”，其振幅比普通半导体中磁光效应强102一103倍。最为突出的是宽能隙Cd卜xMn二Te(S，Se)在外磁场下的激子带发生巨大的塞曼分裂，从而导致带间范围显示很强的激子巨法拉第效应，较CdTe的法拉第旋转角大103倍。同时测量法拉第效应、磁反射谱和磁化强度，可精确地确定不同材料中表征交换作用贡献的交换积分常数。在n一Cdoo5Mnoo5Se中发现反常大的自旋反转拉曼散射斯托克斯位移，较Cdse的大两个数量级。同时还观察到与束缚磁极化子的形成有关的零场下斯托克斯移位。此外在A卜二Mn、砂系列Pbl_xMnxTe中还观察到与自由磁极化子形成有关的零场下自旋分裂。 ③SdH量子振荡的振幅与温度非单调反常依赖关系。n一Hg卜xMn，Te(Se)的振荡的振幅中包含与有效g因子有关的余弦因子，有效g因子随温度而变化。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

稀释磁性半导体 Si基稀磁半导体稀磁性半导体 ZnO稀磁半导体(DMS) (Ga,Mn)As稀磁半导体稀磁半导体材料

薄膜半导体 Si_(1-x)Ge_x半导体稀磁半导体(DMS)

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	您的位置：首页 -> 词典 -> Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜 1) Mn_xGe_(1-x) dilute magnetic semiconductor thin films Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜 2) diluted magnetic semiconductors 稀磁半导体 1. Preparation and properties of diluted magnetic semiconductors; 稀磁半导体的制备与性质 2. Effect of Li on the electric properties of Mn_xCu_(1-x)O diluted magnetic semiconductors; 掺杂Li对Mn_xCu_(1-x)O稀磁半导体电学性质的影响 3. Preparation of ZnO Diluted Magnetic Semiconductors by Hydrothermal Method; 水热合成ZnO稀磁半导体的研究更多例句>> 3) Diluted magnetic semiconductor 稀磁半导体 1. Studies of preparation and magnetism in Cr-doped ZnO diluted magnetic semiconductors; Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究 2. Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition; 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究 3. First-principles studies for the lattice constants,magnetism and electronic structures of diluted magnetic semiconductors (In_(1-x),Mn_x) As; 第一原理计算稀磁半导体(In_(1-x)Mn_x)As的晶格常数,磁性和电子结构更多例句>> 4) DMS 稀磁半导体 1. Preparation and Physical Properties of ZnO Based DMS Nanofibers; ZnO基稀磁半导体纳米纤维的制备及物性研究 2. Hydrothermal Synthesis of the ZnO Based DMS; 水热法合成ZnO基稀磁半导体材料 3. A series of nanocrystalline powders of Ti1-xFexO2 diluted magnetic semiconductors(DMS)have been obtained by using a hydrothermal method with substituent fraction x from 0 to 0. 本论文采用水热法制备Fe掺TiO2稀磁半导体Ti1-xFexO2(x=0～0。更多例句>> 5) Dilute magnetic semiconductor 稀磁半导体 1. It is found that the ferromagnetic (FM) state will be realized in V and Cr doped CdGeP 2 and ZnGeP 2; for Mn, Fe and Co doped ones, the antiferromagnetic (AFM) states are more stable than FM states; whereas doped with Ni, the dilute magnetic semiconductor (DMS) shows . 结果发现 :V和Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现铁磁状态(FM) ,Mn ,Fe以及Co掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现反铁磁状态 (AFM) ,而Ni掺杂时 ,稀磁半导体 (DMS)的磁性比较不稳定。更多例句>> 6) Semiconductor thin films 半导体薄膜例句>> 补充资料：半磁半导体半磁半导体 semimagnetic semiconductor 半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M，B型合金，由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成，其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子，具有彼强的局域自旋磁矩，与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果，产生一种新的交换作用，称为sP一d交换作用，使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近15年中，这方面工作已有很大的进展。结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金，其中M扩离子无规地取代化合物A，理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S，Se)、Znl一xMnxTe(S，Se)和窄能隙的Hg;一，Mn二Te(S，Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构，组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构，组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构，而在0.30正比于宏观体磁化强度M的平均场理论来描述改变了的载流子行为。有效g因子通过磁化强度M反映其与温度、组分和磁场的依赖关系。增强磁场和降低温度均能使交换作用贡献增强。窄能隙Hgl一二MnxTe在低温下甚至发生价带、导带朗道子能级的重叠并使朗道子能级次序发生变化。对Cdl一二Mn二Se:x二O时有效g因子g才=0.5，而x=0.1时，g=170。有效g因子增强了两个量级。 ②反常大的磁光效应。磁离子对外磁场有很大的响应，如同外磁场的“放大器”，其振幅比普通半导体中磁光效应强102一103倍。最为突出的是宽能隙Cd卜xMn二Te(S，Se)在外磁场下的激子带发生巨大的塞曼分裂，从而导致带间范围显示很强的激子巨法拉第效应，较CdTe的法拉第旋转角大103倍。同时测量法拉第效应、磁反射谱和磁化强度，可精确地确定不同材料中表征交换作用贡献的交换积分常数。在n一Cdoo5Mnoo5Se中发现反常大的自旋反转拉曼散射斯托克斯位移，较Cdse的大两个数量级。同时还观察到与束缚磁极化子的形成有关的零场下斯托克斯移位。此外在A卜二Mn、砂系列Pbl_xMnxTe中还观察到与自由磁极化子形成有关的零场下自旋分裂。 ③SdH量子振荡的振幅与温度非单调反常依赖关系。n一Hg卜xMn，Te(Se)的振荡的振幅中包含与有效g因子有关的余弦因子，有效g因子随温度而变化。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条稀释磁性半导体 Si基稀磁半导体稀磁性半导体 ZnO稀磁半导体(DMS) (Ga,Mn)As稀磁半导体稀磁半导体材料

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