1) base transit time
基区渡越时间
1.
A model of the base transit time of SiGe HBT;
SiGe HBT基区渡越时间模型
2.
Based on the known model of the base transit time of SiGe HBT, the effect of heterojunction barrier effects(HBE) on the base transit time is considered and calculated.
在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系。
3.
<Abstrcat> The base transit time of SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) is calculated and analysed.
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间。
2) transit time region
渡越时间区
3) optimization / base transit time
优化/基区渡越时间
4) collector transit time
集电区渡越时间
1.
The formulation of the voltage-dependent collector transit time has been established.
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程。
5) passing time
渡越时间
1.
By means of ingenious measurement of correlative signals upstream and downstream,passing time of corresponding peaks of correlative signals is computed and the motion velocity of rolled objects is indirectly meansured.
介绍利用相关技术对运动物体速度进行在线测量的方法和原理,通过巧妙地采集上、下游相关信号,计算出互相关信号峰值对应的渡越时间,间接测量出热轧材运动速度,并在实践中研制出非接触在线相关测速仪。
6) Transit time
渡越时间
1.
A Physical Model of Short Channel MOSFET s Transit Time;
短沟道MOSFET渡越时间物理模型
2.
Design facts in side appending radial three-cavity transit time oscillator
边加载径向三腔渡越时间振荡器设计
3.
A new ultrasonic transit time measure method is realized based on small tube flow-measurement,with the CPLD.
基于小管径流量检测,采用高性能CPLD,实现了一种新的测量超声波渡越时间的方法。
补充资料：渡越
1.犹超越，超脱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条