1) dielectric tunability
介电调谐
1.
Preparation and Dielectric Tunability of K Doped PST Ferroelectric Thin Film
掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能研究
2.
5 mol %,5 mol %) uniform film of K doping on PtTi/SiO2/Si substrates were prepared by a Sol-Gel process;and their dielectric tunability were investigated.
5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能。
3) dielectric tunability
介电调谐特性
4) dielectric tunable properties
介电调谐性能
1.
The dielectric tunable properties of(Ba_(0.6)Sr_(0.4))TiO_3 grade thin films with rich titanium;
富钛梯度(Ba_(0.6)Sr_(0.4))TiO_3薄膜的介电调谐性能研究
2.
Fabrication of BST thin films by sol-gel method and dielectric tunable properties;
sol-gel法制备BST薄膜及介电调谐性能
3.
The influence of the Mg content on grain sizes and dielectric tunable properties of Mg doped BSKT thin films was investigated and the reasons of evolvement of dielectric loss pattern under DC electric field were discussed.
X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BSKT晶粒尺寸和直流场介电调谐性能的影响,讨论了直流场介电损耗谱演变的原因。
5) dielectric tuning
介质调谐
6) dielectric resonance
介电谐振
1.
In this paper,mechanical and dielectric parameters of virgin PP cellular film(type PQ50) were analyzed by dielectric resonance spectroscopy,and piezoelectric d \{33\} coefficient of 18pC/N was measured.
利用介电谐振谱分析了聚丙烯蜂窝状原生膜 (PPCellular,PQ5 0型 )的力学及介电参数 ,测得其压电系数d33约为 18pC N 。
2.
In this paper,the thermal stability of piezoelectricity and electromechanical properties were studied by measuring the isothermal decay of piezoelectric d_(33)-coefficient and thermally stimulated discharge (TSD) current and analyzing dielectric resonance spectroscopy for the virginal and chemically modified cellular polypropylene (PP) films expanded and heat treated under the same conditions.
通过压电 d_(33)系数等温衰减测量、热刺激放电 (TSD)技术及介电谐振谱分析,研究了孔洞 PP 原膜及其化学改性膜在经历相同的压力膨化和热处理工艺后的压电热稳定性和机电性能。
补充资料：复介电常数
复介电常数
complex dielectric constant
倒￡“ED(t)=“(田)及cos田t+￡，，(留)凡sin山t(1)相角子，即式中:/(。卜会cos“(。)，:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下，D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中，相位占和了、了都是频率的函数，且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位，另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示，且令君*=Eoe，“‘，D*=Doej(“一泞)，则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已，则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。，“， 静态时，。=0、占=0。即￡，，=O，式(3)可表示为D=二，(0)E，其中￡，(O)即为静态介电常数￡s。可见，g(。)是静态介电常数在交变场下的推广，e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时，在真空电容器中，电流虽然超前电场二/2，但由于占=0，而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中，单位时间、单位体积中损耗的能量评，可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示，即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示，而弛豫时间为 根据复介电常数定 义，由式(4)并经简化 处理后可得 ￡*(臼)=￡‘(臼)一j￡“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一，犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式，用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时，则得已=昆+65一三.l+田2r2(￡。一氛)田T1十田2丁2 已，，tg口一=万，二 Q(‘s一几)田丁￡s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5，合(￡·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大，因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角，tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中，若置介质于平板电容器中，并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.，_L一~~，卜。尸。
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参考词条