1) gate charge retention drive
栅极电荷保持驱动
1.
In this paper,a gate charge retention drive is used to solve the above.
针对传统自驱动无法为倍流整流电路在死区时间内提供驱动电压,导致同步整流管体内二极管导通、恶化同步整流性能的问题,文章采用栅极电荷保持驱动技术,解决了死区时间内同步整流管的导通问题。
2) grid charge holding
栅极电荷保持
3) gate charge retention
门极电荷保持
4) gate drive
栅极驱动
1.
Using The Current Sensing IR212X Gate Drive ICs;
使用电流感应IR212X栅极驱动IC
2.
For the problem the negative gate drive was adopted,but the number of elements was much in the general negative charge pump circuit.
因此设计了一种简化负压栅极驱动电路,电路简单,工作可靠。
3.
the paper presents a perfect method of gate drive and protec
本文结合强流氧离子注入机中电源实例,对绝缘栅双极晶体管(IGBT)的特性、短路安全工作区、栅极驱动和可靠保护分别进行了论述。
6) gate charge
栅极电荷
1.
This article takes gate charge characteristics into account and then introduces some methods for calculating output performance of drivers used for switching IGBT
本文就利用栅极电荷特性的考虑,介绍了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。
补充资料：功率场效应晶体管栅极驱动电路
使功率场效应晶体管按信号的要求导通或截止的电路。用于控制电力电子电路中的功率场效应晶体管的通断。功率场效应晶体管是电压控制器件，只要栅极驱动电路提供合适的栅极电压，即能保证元件的可靠通断。因栅极驱动电流较小，所以驱动电路比较简单。在工作频率较低的应用场合，常用集成逻辑电路或集成模拟电路等直接驱动功率场效应晶体管。图1是用集成与非门直接驱动功率场效应晶体管的电路。当与非门输出高电平时，功率场效应晶体管导通；当与非门输出低电平时，功率场效应晶体管关断。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条