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1)  SiNx/SiO2 multilayers
SiNx/SiO2多层膜
1.
Si/SiO2 and SiNx/SiO2 multilayers were prepared on Si(100) at room temperature by radio-frequency(RF) magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。
2)  Si/SiNx/SiO2 multilayers
Si/SiNx/SiO2多层膜
1.
Si/SiNx/SiO2 multilayers are prepared on Si(100) at room temperature by radio-frequency (RF) magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。
3)  SiNx/Si multilayers
SiNx/Si纳米多层膜
1.
The SiNx/Si multilayers is deposited alternately by magnetron sputtering and appear to amorphous phase.
采用非平衡磁控溅射技术制备氢化硅薄膜和SiNx/Si纳米多层膜,并对其结构与性能进行了分析。
4)  SiO_2/TiO_2 multilayer film
SiO2/TiO2多层膜
5)  Si/SiO2 multi-layer films
Si/SiO2多层膜
1.
Si/SiO2 multi-layer films are fabricated using the RF magnetron sputtering technique, and the I-V properties of the multi-layer films are analyzed.
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合。
6)  ZrO 2/SiO 2 multilayers
ZrO2/SiO2多层膜
1.
The effect of period of repeating thickness on the stress is studied in ZrO 2/SiO 2 multilayers deposited by electron beam evaporation on BK7 glass and fused silica substrates, separately.
ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化。
补充资料:全氟羧酸-磺酸多层阳离子交换膜
分子式:
CAS号:

性质:又称全氟羧酸-磺酸多层阳离子交换膜,需在膜的一面形成一羧酸膜层。其制法是将全氟磺酸膜片与全氟羧酸膜片加热层压而成,或在全氟磺酸膜的一面经化学处理,使—SO3H转换成—COOH基。这种离子膜一面为—SO3H基,另一面为—COOH,用聚四氟乙烯织物增强,在氯化钠电解制碱中的电流效率为95%左右。

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