1)  U-shape
U型槽
1.
Based on application of U-shape structure automobile passage,which is in Foshan City of Guangdong Province,to wet soft soil foundation,the structure construction and the methods of the soft soil foundation processing of the U-shape are introduced,and the main point about design of the engineering watertightness and drain is given.
以广东佛山市某一U型槽式结构在湿软土基地段应用为背景,介绍该U型槽结构构造及软基处理方式,给出该工程防排水的设计要点,探讨湿软土地基U型槽结构的计算模型,分析不设置抗拔桩时U型槽结构的受力和变形特点。
2)  U-type trough structure
U型槽结构
1.
When U-type trough structure is used for under pass type interchange approach to seal underground water in high water level are a of severe cold, to exchange earth by non-frost heave material to fill under th e freezing line is the effective protective measure.
在严寒高水位地区 ,下穿式立交引道采用U型槽结构封闭地下水时 ,换填非冻胀性材料至冻结线以下是有效的防治措
3)  U-slotted patch
U型槽贴片
4)  U type slot swivelling nozzle
U型槽旋喷桩
1.
Introduces the engineering general situation of NingQi railroad the fourth contract segment,discusses the construction craft of deep road reinforced concrete U type slot swivelling nozzle in region of FuShui,puts forward the construction the quantity control and safe measure in the process.
通过介绍“宁启铁路”第四合同段的工程概况,论述了富水地区深路堑钢筋混凝土U型槽旋喷桩的施工工艺及实施,提出在施工过程中的质量控制和应注意的安全措施。
5)  double U-slot loading
双U型槽加载
6)  prereinforced U_shaped concrete
预制混凝土U型槽
参考词条
补充资料:V型槽金属-氧化物-半导体集成电路
      在硅片表面上刻蚀出V型凹槽,并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的MOS集成电路,称为 VMOS电路。
  
  基本原理  有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50%的溶液、18克分子浓度的KOH等,对硅的腐蚀速率为[100]>[110]>[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707,每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液,对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率,可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽,后者则为U形槽。
  
  结构  经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型(或U型)槽有一定倾角,所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层,是为了增加击穿电压并减少输出电容。
  
  
  
  
  
  应用和发展  VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度,获得自对准(由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定)的短沟道结构,可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路(见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路)技术兼容。但是,这种工艺比较复杂,[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外,对其他产品尚未推广应用。另一方面,VMOS晶体管由于沟道短,宽长比可以做得很大,没有二次击穿效应,而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面,在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻,又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管,通过选择合适的外延层(电阻率和厚度)、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦,减少电场集中效应,能提高击穿电压。同时,在栅极加正电压时,栅漏覆盖区变为累积层,也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
  

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