1) mask technique
掩模工艺
2) photo-marsk process
光掩模工艺
1.
We have suggested and developed a novel 6 photo-marsk process for the p-channel poly-Si thin film transistor (TFT) panel fabrication of active matrix organic light-emitting diode (AMOLED).
我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。
3) multimask processing
多掩模工艺
4) maskless process
无掩模工艺
5) 4mask
四层掩模板工艺
6) mask processing
掩模加工
补充资料：凹模、凸凹模工作型面加工工艺过程
1)备料。 n
2)锻造。锻成长方形的坯料(每件留长工艺夹头)。 n
3)热处理。退火。 n
4)铣(刨)削。铣(刨)削六面成长方形模块。 n
5)磨削。磨削上、下两端面及相邻两侧面，用90。角尺测量相邻两面的垂直度。 n
6)钳工加工。用平板和划线盘按图划线，并打样冲眼；用钻头钻螺纹底孔；用圆柱销孔的预孔；用钻头钻挡料销让位孔；用钻头在中心处钻穿丝孔等；正、反面孔口倒角；凸凹模用钻头孔扩，保证刃口高度；攻螺纹；铰孔。n
7)铣削。平口钳装夹工件；用的立铣刀铣削型孔至尺寸，保证深度。 n
8)热处理。凹模工件淬硬至HRC60～64，凸凹模工件淬硬至HRC58～62。 n
9)平磨。磨上、下两端面及相邻两侧面，用90。角尺测量相邻两面的垂直度至图要求；退磁。 n
10)线切割。按图编制线切割程序，切割模型孔成形，留单面研磨余量0.005 mm。 n
11)钳工加工。研光线切割面： n
12)检验。 n复合冲裁模的装配应选择凸凹模作为装配基准件，先装下模部分，后装上模部分
2)锻造。锻成长方形的坯料(每件留长工艺夹头)。 n
3)热处理。退火。 n
4)铣(刨)削。铣(刨)削六面成长方形模块。 n
5)磨削。磨削上、下两端面及相邻两侧面，用90。角尺测量相邻两面的垂直度。 n
6)钳工加工。用平板和划线盘按图划线，并打样冲眼；用钻头钻螺纹底孔；用圆柱销孔的预孔；用钻头钻挡料销让位孔；用钻头在中心处钻穿丝孔等；正、反面孔口倒角；凸凹模用钻头孔扩，保证刃口高度；攻螺纹；铰孔。n
7)铣削。平口钳装夹工件；用的立铣刀铣削型孔至尺寸，保证深度。 n
8)热处理。凹模工件淬硬至HRC60～64，凸凹模工件淬硬至HRC58～62。 n
9)平磨。磨上、下两端面及相邻两侧面，用90。角尺测量相邻两面的垂直度至图要求；退磁。 n
10)线切割。按图编制线切割程序，切割模型孔成形，留单面研磨余量0.005 mm。 n
11)钳工加工。研光线切割面： n
12)检验。 n复合冲裁模的装配应选择凸凹模作为装配基准件，先装下模部分，后装上模部分
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条