1) channel mismatch
通道失配
1.
Effect of channel mismatch and mutual coupling on GPS adaptive array;
通道失配和天线互耦对GPS抗干扰天线的影响
2.
Effect of channel mismatch on performance of 2-D MUSIC algorithm;
通道失配对二维MUSIC算法测向性能的影响
3.
Performance of MUSIC algorithm for direction finding in the presence of channel mismatch is analyzed.
分析了通道失配条件下MUSIC算法测角偏差及方差,推导了单源情况下幅度失配及相位失配引起的测角偏差和方差的具体公式。
2) channel mismatch errors
通道失配误差
1.
But because of the limitation of the manufacture technics,this structure causes channel mismatch errors which limit the performance of the system.
由于制造工艺的局限,这种结构会引入通道失配误差而限制系统的性能。
3) channel mismatch error
通道失配误差
1.
Time-interleaved sampling technology is very sensitive to the channel mismatch errors.
时间交替采样技术对通道失配误差十分敏感,而基于混合滤波器组的采样技术降低了对通道失配误差的敏感,但前端模拟分析滤波器的稳定性难于设计限制了其工程应用。
4) Higher order path payload label mismatch(HP-PLM)
高阶通道净荷标记失配
5) Lower order path trace identification mismatch(LP-TIM)
低阶通道跟踪识别失配
6) Higher order path trace identification mismatch(HP-TIM)
高阶通道跟踪识别失配
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
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参考词条