1) nonlinear analytical solution
非线性解析解
2) linear analytical solution
线性解析解
3) nonlinear analytic technique
非线性近似解析方法
4) non-linear unit analytic signal
非线性单位解析信号
5) nonlinear decoupling
非线性解耦
1.
The nonlinear decoupling of the coupling tracking system is carried out by feedback decoupling control theoretic,furthermore because of the outside interference,the adaptive model following controller is brought forward based on hyper-stability theorem and positivity concept.
根据视轴偏心光电系统的结构推导出控制系统的微分方程,用反馈解耦控制方法,对耦合比较强的跟踪系统进行了非线性解耦,此外跟踪系统由于受到外界干扰的影响,基于解耦后的系统提出了用自适应模型跟随控制的方法进行控制器的设计,利用广义状态误差,采取并联模型信号综合自适应,应用超稳定性和正性理论进行控制器的设计,仿真的结果表明,设计的自适应模型跟随控制能起到良好的控制效果。
2.
At the same time, the tracking behavior of nonlinear decoupling system on the real-time control command of the pilot is verified,too.
本文利用人机半物理仿真法，研究了大气紊流对飞机突防飞行的解耦控制特性、驾驶员的操纵性及乘坐品质的影响，检验了非线性解耦控制系统对驾驶员实时操纵指令的跟踪特性。
3.
The nonlinear decoupling feedback control method based on the model is used to partly decouple the joint variables and elastic deformation.
以双连杆刚柔性机械臂为例,建立了双连杆刚柔性机械臂的非线性动力学方程,运用基于模型的非线性解耦反馈控制方法,使方程中关节角变量和弹性变量部分解耦。
6) nonlinear dissolution
非线性溶解
1.
In most laboratory experiments,there is an initial period during which nonlinear dissolution behavior is observed and steady-state dissolution rates range from 10-12 to 10-8 mol/(m2·s).
实验室条件下,硅酸盐矿物存在非线性溶解现象,稳定态溶解速率一般为10-12～10-8 mol/(m2·s),而组分析出一般都是非理想配比的。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条