1) turn-off characteristic
关断特性
1.
But the circuit stray inductance has serious influence upon the turn-off characteristic of IGCTs.
电路杂散电感会严重地影响IGCT的关断特性,增大器件的电压应力和关断损耗,甚至导致器件损坏。
2.
The turn-off characteristics determining the maximum operating frequency of ultra-fast photoconductive semiconductor switches are influenced by many factors.
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。
3.
Purpose of the work is to propose a new device structure which suppresses parasitic latch-up effectively and also improves a turn-off characteristic by cascading of lateral high voltage devices LDMOS and LIGBT together without any considerable sacrifices of forward characteristic.
改进的结构在不影响LIGBT的正向导通特性的前提下,不仅有效抑制了寄生拴锁效应,而且改进了LIGBT的关断特性。
2) soft shut
柔性关断
1.
An electric actuator has only one invariable adjusting speed,which is difficult to carry out its accurate orientation and soft shut.
电动执行机构采用单闭环位置控制,只有一种恒定的调节速度,难以实现阀门准确定位和柔性关断。
5) fracture characteristics
断裂特性
1.
Deformation and fracture characteristics of ferrite/bainite dual-phase steels
铁素体/贝氏体双相钢的变形和断裂特性
2.
Studies of fracture characteristics of high strength plastic pipes abroad are analyzed in detail.
简介了高强工程塑料管道在国内外的应用概况 ,对国外高强塑料管道断裂特性的研究进行了详细介绍 ,在此基础上 ,讨论了我国在该类材料断裂特性方面的研究与国际水平的差距 ,并对我国目前应尽快开展的工作提出了相应的建
3.
The effects of different structural parameters on the fracture characteristics were analyzed.
研究飞机机翼中整体翼梁结构的断裂特性,采用有限元素法计算不同结构参数应力强度因子,根据最大拉应力原理确定裂纹扩展轨迹,分析不同结构参数在裂纹增长中对断裂特性的影响,给出可供飞机整体翼梁损伤容限设计参考的计算结果和结论。
6) fracture behavior
断裂特性
1.
Study on fracture behaviors of induced joints in RCC arch dams;
碾压混凝土拱坝诱导缝断裂特性研究
2.
Dynamic in situ observation for the fracture process of the materials has been put forward fracture mould of SiC/7075A1 composite materials have been established with the purpose of disclosure of the fracture behavior of SiC/7075A1 composite materials.
为了揭示ＳｉＣｐ／７０７５Ａｌ复合材料的断裂特性，建立了ＳｉＣｐ／７０７５Ａｌ复合材料的拉伸断裂模
3.
The fracture behaviorof granular structure and granular bainite by low tempering and high tempering in 17Cr2Ni2Mo steel were studied.
研究了17Cr2Ni2Mo钢粒状组织和粒状贝氏体经低温和高温回火后的断裂特性。
补充资料：可关断晶闸管门极驱动电路
使可关断晶闸管根据信号的要求导通或关断的门极控制电路。用于控制电力电子电路中的可关断晶闸管的通断。对可关断晶闸管门极驱动电路的一般要求是：当信号要求可关断晶闸管导通时，驱动电路提供上升率足够大的正门极脉冲电流,其幅度视晶闸管容量不同在0.1到几安培的范围内变化，其宽度应保证可关断晶闸管可靠导通；当信号要求可关断晶闸管关断时，驱动电路提供上升率足够大的负门极脉冲电流，脉冲幅度要求大于可关断晶闸管阳极电流的五分之一，脉冲宽度应大于可关断晶闸管的关断时间和尾部时间。
结构与工作原理 可关断晶闸管门极驱动电路(图1）包括门极开通电路和门极关断电路。某些场合还包括虚线所示的门极反偏电路，以增加抗干扰能力。门极开通电路为可关断晶闸管提供开通时的正门极脉冲电流。图2a是一种门极开通电路，当导通信号电压是高电平时，晶体管G1导通，其发射极电流即作为触发电流流入可关断晶闸管门极。门极关断电路为可关断晶闸管提供关断时的负门极脉冲电流。图2b是一种门极关断电路，当关断信号来时，晶闸管G2导通。负电压E2通过G2加到可关断晶闸管的门极，抽取门极电流。当可关断晶闸管T关断后,门极恢复阻断，门极电流降为零，G2也恢复阻断。图2c是完整的双电源门极驱动电路。 分类 根据对驱动可关断晶闸管的特性或容量、应用的场合、电路电压、工作频率、要求的可靠性和价格等方面的不同要求，有各式各样的门极驱动电路。
图3是单电源可关断晶闸管门极驱动电路。输入导通信号时，G1导通，产生正门极脉冲电流,使可关断晶闸管导通。这时电容器C充上了左正右负的电压。输入关断信号时，G1关断，G2导通，电容电压通过G2抽取可关断晶闸管的门极电流，使可关断晶闸管关断。这种电路的特点是电路简单，仅需一组驱动电路的电源。但导通信号的时间不能太短，否则电容上储存的能量太小，不足以关断可关断晶闸管。
图4是脉冲减窄的门极开通电路,用以减少门极损耗。可关断晶闸管导通后,能自行维持导通，门极正脉冲电流失去作用、在保证晶闸管可靠导通的前提下，尽可能减小正触发脉冲的宽度。当导通信号电压是高电平时，晶体管G1导通。G1的发射极电流通过电阻R，稳压管W提供G2的基极电流。G2进入放大状态,它的发射极电流即是可关断晶闸管T的正门极脉冲电流。当T导通后，二极管D的阴极电位低于阳极电位，D导通，将G1所有的发射极电流引入T的阳极，G2截止，T 的门极电流降为零。这种电路既实现了正触发脉冲的减窄，又无碍于变流器的正常工作。
为了用同一个控制电路控制不同电位的可关断晶闸管或为了保证控制电路的安全，需将控制电路和可关断晶闸管门极之间用光耦合器件或脉冲变压器进行电位隔离。光耦合器是小功率器件，它的输出信号经放大后才能驱动可关断晶闸管。光耦合器隔离的门极驱动电路常用于中小功率的可关断晶闸管驱动；在大功率的可关断晶闸管应用中，门极关断电流往往很大，达几百安。如不用变压器进行阻抗变换，相对于门极阻抗而言，门极电路的电压很低，很难确保关断脉冲电流的上升率，所以在大功率可关断晶闸管的门极关断电路中，常用脉冲变压器进行电位隔离。
图5是一种用脉冲变压器隔离的门极驱动电路。输入导通信号时，用互补的高频信号驱动晶体管G1和G2,在变压器TM1中产生一个交流高频方波电压，经二极管D1、D2整流后，为可关断晶闸管提供一个正的门极驱动电流。输入关断信号时，晶体管G3导通,变压器TM2副边感生出下正上负的电压，这个电压通过R1和R2分压加到晶闸管G4的门极,G4导通，负电压通过G4加到可关断晶闸管的门极，抽取负门极电流，使可关断晶闸管关断。
结构与工作原理 可关断晶闸管门极驱动电路(图1）包括门极开通电路和门极关断电路。某些场合还包括虚线所示的门极反偏电路，以增加抗干扰能力。门极开通电路为可关断晶闸管提供开通时的正门极脉冲电流。图2a是一种门极开通电路，当导通信号电压是高电平时，晶体管G1导通，其发射极电流即作为触发电流流入可关断晶闸管门极。门极关断电路为可关断晶闸管提供关断时的负门极脉冲电流。图2b是一种门极关断电路，当关断信号来时，晶闸管G2导通。负电压E2通过G2加到可关断晶闸管的门极，抽取门极电流。当可关断晶闸管T关断后,门极恢复阻断，门极电流降为零，G2也恢复阻断。图2c是完整的双电源门极驱动电路。 分类 根据对驱动可关断晶闸管的特性或容量、应用的场合、电路电压、工作频率、要求的可靠性和价格等方面的不同要求，有各式各样的门极驱动电路。
图3是单电源可关断晶闸管门极驱动电路。输入导通信号时，G1导通，产生正门极脉冲电流,使可关断晶闸管导通。这时电容器C充上了左正右负的电压。输入关断信号时，G1关断，G2导通，电容电压通过G2抽取可关断晶闸管的门极电流，使可关断晶闸管关断。这种电路的特点是电路简单，仅需一组驱动电路的电源。但导通信号的时间不能太短，否则电容上储存的能量太小，不足以关断可关断晶闸管。
图4是脉冲减窄的门极开通电路,用以减少门极损耗。可关断晶闸管导通后,能自行维持导通，门极正脉冲电流失去作用、在保证晶闸管可靠导通的前提下，尽可能减小正触发脉冲的宽度。当导通信号电压是高电平时，晶体管G1导通。G1的发射极电流通过电阻R，稳压管W提供G2的基极电流。G2进入放大状态,它的发射极电流即是可关断晶闸管T的正门极脉冲电流。当T导通后，二极管D的阴极电位低于阳极电位，D导通，将G1所有的发射极电流引入T的阳极，G2截止，T 的门极电流降为零。这种电路既实现了正触发脉冲的减窄，又无碍于变流器的正常工作。
为了用同一个控制电路控制不同电位的可关断晶闸管或为了保证控制电路的安全，需将控制电路和可关断晶闸管门极之间用光耦合器件或脉冲变压器进行电位隔离。光耦合器是小功率器件，它的输出信号经放大后才能驱动可关断晶闸管。光耦合器隔离的门极驱动电路常用于中小功率的可关断晶闸管驱动；在大功率的可关断晶闸管应用中，门极关断电流往往很大，达几百安。如不用变压器进行阻抗变换，相对于门极阻抗而言，门极电路的电压很低，很难确保关断脉冲电流的上升率，所以在大功率可关断晶闸管的门极关断电路中，常用脉冲变压器进行电位隔离。
图5是一种用脉冲变压器隔离的门极驱动电路。输入导通信号时，用互补的高频信号驱动晶体管G1和G2,在变压器TM1中产生一个交流高频方波电压，经二极管D1、D2整流后，为可关断晶闸管提供一个正的门极驱动电流。输入关断信号时，晶体管G3导通,变压器TM2副边感生出下正上负的电压，这个电压通过R1和R2分压加到晶闸管G4的门极,G4导通，负电压通过G4加到可关断晶闸管的门极，抽取负门极电流，使可关断晶闸管关断。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条