1) power conditioning circuit
功率调节电路
1.
A design of output power conditioning circuit for piezoelectric micro.
经实验证明:封装了该功率调节电路的压电式双振子微型发电机平均输出功率为250~950μw,瞬时输出功率可以达到680mw,而自身的功耗只有40微瓦以下,能满足连续振动环境中微功耗电子器件、传感器或间歇式较大功耗遥测电路供电的要求。
2) Electronic Power Conditioner (EPC)
电子功率调节器
3) power regulator
电力调节器;功率调节器
4) power adjustment
功率调节
1.
This paper analyses the direct and indirect adjusting modes of power adjustment in digital electric hydraulic governor, and how to realize power adjustment.
数字式电液调速器中的功率调节模式适合与水电厂自动发电控制 (AGC)系统接口并实现机组有功功率的全数字控制。
2.
Aiming at the problem of communication collision and energy limitation in MANET,a spatial reuse optimization method based on transmit power adjustment is proposed.
对MAC层进行改进,通过接收数据包的强度设置帧控制字段,进行自适应发送功率调节,将信号接收功率控制在合适区间。
5) power modulation
功率调节
1.
Based on comparing with the different power modulation,a novel and better PWM based on follow tracing is proposed in this paper.
在对现有各种感应加热装置功率控制方式比较的基础上,提出一种基于频率跟踪的新型的、较优的PWM功率调节方式。
2.
This paper deals with the designs of the hardware and software based on the HSO of 8098 single-chip microcomputer as the way of control signal in the si-control power modulation system.
该文介绍了在可控硅功率调节系统中,采用8098单片机HSO端作为控制信号输出通道的硬件和软件设计。
3.
Based on comparing with the existed different ways of power modulation for induction heating power, a new power modulation of DC converter with PWM (Pulse Width Modulation) used fuzzy control was introduced.
在对现有各种感应加热电源功率调节方式比较的基础上,介绍了一种模糊控制的Buck电路PWM调功方式。
6) power regulation
功率调节
1.
Transient simulation of power regulation for hydropower station
水电站功率调节过渡过程数值模拟
2.
The paper focuses on analyzing power regulation of the rectifier side.
感应加热电源常用的主电路一般由AC/DC、DC/DC、DC/AC三部分组成,功率的调节可以在这三个部分的任一个部分进行,即整流侧、直流侧、逆变侧单元功率调节。
3.
Based on a direct cooling high temperature Superconducting Magnetic Energy Storage(SMES) system developed by the authors,this paper investigates the performance of the SMES used for power regulation by experiments.
介绍了所研制的直接冷却式高温超导磁储能(SMES)系统,通过动模实验研究了具有电流源型逆变器SMES装置的功率调节特性,包括装置的储能、有功功率和无功功率调节过程和特性等。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条