1) s×t-s+1 order
s×t-s+1阶
2) A/S
A/S
3) S(Ⅳ)
S(Ⅳ)
4) General maximum
S-
5) anti-spoofing(A-S)
A-S
6) S]+
S]+
1.
The doublet potential energy surfaces of [Si, C, S]++ and [Si, C, S]+-systems were investigated by the DFT, QCISD, and CCSD(T) methods.
采用DFT,QCISD及CCSD(T)方法分别对二重态的[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系势能面进行理论计算,用QCISD/6-311+G(d)方法,在[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系中,我们分别得到了2个过渡态连接的3个稳定体和2个过渡态连接的4个稳定体,经热力学及动力学分析发现,[Si,C,S]+体系只有二重态线性的离子[Si—C—S]+可能稳定存在,而[Si,C,S]-体系有二重态线性的离子[Si—C—S]-和三元环c-[SiCS]-可能稳定存在。
参考词条
(s,s)ZX-5
(s,s)-ZX-5
(s,s)策略
(s,s)模型
B/W/S/S
B/S/S
C/S/S
C/S+B/S
S-S-A模型
S-N-S结
s/I/s结
S-S模型
V-S/L-S
S-N-S
测井深度
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补充资料:N阶行列式
设有n2个数,排成n行n列的表 ,作出表中位于不同行不同列的n个数的乘积,并冠以符号(-1)t,的形式如下的项,其中为自然数1,2,...,n的一个排列,t为这个排列的逆序数.由于这样的排列共有n!个,这n!项的代数和称为n阶行列式
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。