1)  Galerkin meshfree method
Galerkin无网格法
2)  Gallium
Ga
1.
Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;
液态Ga的密度和黏度及其微观结构
2.
Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.
采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。
3.
The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).
研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。
3)  Ga
Ga
1.
Influences of Gallium on Microstructure and Mechanical Properties of Mg-x%Al-2%Ga Alloys;
Ga对铸态Mg-x%Al-2%Ga镁合金显微组织和力学性能的影响
2.
Preliminary Feasibility Study of Extracting Ga、Nb、Li and Sc from Bauxite Ore;
从铝土矿中提取Ga、Nb、Li、Sc的可行性初步研究
3.
Effects of Ga on electrochemical properties of Al-Zn-In sacrificial anodes;
Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能影响
4)  Ga-In-As
Ga-In-As
1.
THERMODYNAMICS OF Ga-In-As SYSTEM UNDER LATTICE DEFORMATION;
晶格形变情况下Ga－In－As体系热力学研究
5)  GaAs
Ga As
1.
Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉
6)  genetic algorithm & fuzzy C-means
GA-FCM
参考词条
补充资料：网格法
    　　实验应力分析方法的一种。网格法是在试件表面印制或刻划网格，则当试件受载而发生变形时，网格随之变形，通过测量网格因变形而引起的位移，以确定试件的位移场或应变场。它适用于测量5％以上的大应变,而用于测量较小的应变时，精度很低。通常用于测定金属的塑性变形（图 1），以及橡胶、塑料等弹性模量低的材料的变形(图 2)。此法于20世纪40年代开始应用，后来在较大程度上被云纹法所取代。　　用此法测定试件的位移和应变分布时，须分别拍摄试件在受载前后的网格图（图3a、图3b），用负片测出网格交点在受载前后的坐标。根据各点受载前后的x、y坐标的差值,分别求出x方向和y方向的位移u和v的分布，再对坐标求导数，得出偏导数，然后按下列公式分别求出各点在x方向和y方向的线应变εx、εy和角应变γxy。
　　
　　　　
　　 　
　　
　　　
　　
　　

参考书目
　　　V. J. Parks,　The　Grid　Method, Experimental Mechanics,Vol.9, No. 7, P.27N, July 1969.
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。