1) non-linear convolution
非线性卷积
1.
By a definition of style as a non-linear convolution,the style of the image may be studied by kernel estimation,and style transfer could be conducted by executing the learned convolution.
提出一种新的图像类推技术,定义"风格"为作用于内容上的非线性卷积过程。
2) linear convolution
线性卷积
1.
Fast linear convolution with discrete frequency characterization of cyclic convolution
利用圆周卷积离散谱快速线性卷积
2.
Based on the principle of wavelet transform and the operation of division by overlap-saving method, cyclic convolutions are proposed to be used in place of linear convolution in the implementation of wavelet transform.
根据小波变换的基本特点,在运用重叠保留法对长序列进行分段处理的基础上,提出用圆周卷积来实现快速小波变换中大量的线性卷积运算。
3.
FIR digital filter is essentially a kind of linear convolution operation.
FIR数字滤波器本质上是一种线性卷积的运算,当数字滤波器的阶次N很大时,计算量很大,计算速度很慢,达不到系统对实时性的要求。
3) blind deconvolution of nonlinear system
非线性系统盲反卷积
4) nonlinear-fitting-deconvolution
非线性拟合退卷积
1.
A nonlinear-fitting-deconvolution method is put forward for improving the measurement spectral resolution of gas absorption spectra when the instruments function and the absorption line-shape are previously known.
在仪器函数和吸收线型已知的情况下 ,提出了一种非线性拟合退卷积法 ,用于提高气体吸收测量的光谱分辨率。
5) Line Integral Convolution(LIC)
线性卷积分
1.
Line Integral Convolution(LIC) is a powerful technique for vector field visualization.
线性卷积分(LIC)是矢量可视化中的一个强有力的工具。
6) convolution linearization
卷积线性化
1.
This step is called convolution linearization.
针对独立同分布的非高斯信号的卷积混叠,提出了一种新的盲解卷积方法———“两步提取法”:第一步消除所有源信号的延迟分量,提取仅含有源信号的线性混叠分量,使其转化为线性混叠盲源分离问题,称之为“卷积线性化”;第二步对“卷积线性化”后的估计信号进行分离,最终分离出源信号。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条