1) convergent beam electron diffraction
汇聚光束电子衍射
1.
The MnO2 samples were characterized by using of stepped potential electrochemical spectroscope (SPECS), convergent beam electron diffraction(CBED) and TEM, showed that EMD has superior electrochemical performance in alkaline electrolyte solution to the CMD, although they are all belong to γ-MnO2.
介绍了γ-MnO2的结构模型的新近进展以及研究γ-MnO2结构的方法一阶跃电位电化学谱、汇聚光束电子衍射法和TEM法。
2) convergent-beam electron diffraction
汇聚束电子衍射
1.
An umambiguous experimental determination of all six domain orientaions in lamellar structure and the interface types between neighboring γ laths in a (γ+α_2) two-phase TiAl alloy containing Mn and Nb were analysed by means of convergent-beam electron diffraction.
本工作利用汇聚束电子衍射技术对一种含有Mn,Nb合金元素的(γ+α2)TiAl基合金中具有六种不同晶体学取向的γ相及γ/γ界面关系进行了实验唯一测定。
3) CBED
会聚束电子衍射
1.
The residual strain fields at composites interface were studied with two convergent beam electron diffraction (CBED) techniques.
用两种会聚束电子衍射 (CBED)技术研究了复合材料界面残余应变场。
2.
The crystal structure of a novel Ti-Al-Sc phase has been determined by transmission electron microscopy (TEM) and convergent beam electron diffraction(CBED) in the Sc-doped TiAl alloy.
利用选区电子衍射和会聚束电子衍射测定了一种 Ｔｉ－Ａｌ－ＳＣ三元化合物的晶体结构。
3.
The phases of α Sialon and β Sialon can be effectively distinguished using convergent beam electron diffraction (CBED).
结果表明长柱状β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒与等轴状α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒相互交叉结合在一起，在晶界上无晶间相分布，用会聚束电子衍射法可有效地区分α－Ｓｉａｌｏｎ相和β－Ｓｉａｌｏｎ相。
4) Convergent beam electron diffraction
会聚束电子衍射
1.
Quantitative convergent beam electron diffraction study of electron structure on segregation of boron in intermetallics;
定量会聚束电子衍射金属间化合物中微量元素硼的偏聚特性的电子结构研究(英文)
2.
Convergent beam electron diffraction (CBED), combined by computer simulation, has been to be a powerful tool for the strain study, due to its high spatial resolution and high sensitivity.
介绍了会聚束电子衍射 (CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x Si化学梯度层中应变分布的实验结果 ,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度 ,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。
3.
In this paper the dislocation in quartz have been studied with convergent beam electron diffraction(CBED).
本文用会聚束电子衍射的方法对石英位错进行了测定，同传统的双束法相比较，此方法更为简单和方便。
5) quantitative convergent beam electron diffraction
定量会聚束电子衍射
1.
Refinements of structure factors of i-AlPdMn quasicrystal by using six-dimensional cluster model and quantitative convergent beam electron diffraction;
用六维团簇模型和定量会聚束电子衍射优化i-AlPdMn准晶的结构因子
6) convergent beam electron diffraction (CBED)
会聚束电子衍射(CBED)
补充资料：低能电子衍射
低能电子衍射(LEED)，是将能量为5～500eV范围的单色电子入射于样品表面,通过电子与晶体相互作用,一部分电子以相干散射的形式反射到真空中，所形成的衍射束进入可移动的接收器进行强度测量，或者再被加速至荧光屏，给出可观察的衍射图像,见图1。图中，第一栅接地，使衍射电子自由飞过样品和栅之间的空间；第二栅加几十伏负电压，可滤去非弹性散射电子。荧光屏施加千伏高压，使电子有足够的能量激发荧光物质。由于物质对电子的散射比对 X射线的散射强很多，使低能电子具有很高的表面灵敏度。虽然在1927年C.J.戴维孙和L.H.革末发现了LEED，但因多重散射带来了技术上和理论上的复杂性，使低能衍射的实际应用推迟了40年。直到70年代以后，在超高真空技术发展的基础上，才使此技术获得新生。
低能电子衍射图样给出晶体表面倒易空间的晶网像，或者说直接给出晶体倒易点阵的一个二维截面（见表面结构），它可以在一个二维模型基础上运用衍射的运动学理论加以解释（见衍射动力学理论）。一个无限大的二维晶体，其倒易点阵是垂直于二维晶面的倒易棒所形成之阵列,如图2所示。平行于此晶面的入射波矢k〃与散射波矢(ki)〃之差等于此晶面的二维倒易点阵矢量Gi，即有(ki)〃－k〃＝Gi时,
满足衍射加强条件。故于图2中以入射波矢k 为半径作一球（称为厄瓦耳球），球与倒易棒的交点，即给出衍射束的波矢ki。在相应的正空间中，衍射加强条件就是布喇格公式a sin φ＝hλ，b sin φ┡＝kλ，
式中a、b为二维平移矢量的长度。从衍射图可以确定表面平移矢量As、Bs,研究各种类型的表面有序结构,给出相应的空间群（见表面结构）。
衍射强度分析是利用LEED确定表面单胞内原子位置的核心问题。由于慢电子的动能与晶体中散射势相近,通常处理高能电子衍射的运动学理论或修正的运动学理论不能用于低能电子衍射。理论计算与实验数据的比较表明，分析低能电子在晶体中的行为，必须考虑晶体中原子、电子及声子与它的相互作用，以及低能电子在晶体中所受的多重散射。将所有这些相互作用表示成为一个有效势V(r)，低能电子的哈密顿量即写为
H＝Ho＋V(r)，
Ho为入射电子动能。这就将多体问题归结为求解单电子薛定谔方程：
Hψ＝Eψ 。
待求的衍射强度等于本征波函数的模的二次方|ψ|2。现代低能电子衍射理论分析很多就是从多重散射格林函数方法出发，对具体散射过程作各种模型假设，发展了若干行之有效的方法，如KKR法、贝基T－矩阵法、重正化向前散射法、双层法、链方法及其他微扰法。低能衍射技术已推广到研究表面缺陷、二维相变，其理论分析方法也为其他的表面分析技术所借鉴。
低能电子衍射仪常与多种表面分析仪联用，综合地分析各种金属、半导体的清洁表面与吸附表面的元素组成和表面原子结构。
参考书目
C.J. Davisson and L.H. Germer, Physical Review,Vol. 30,p.705,1927.
J. B. Pendry, Low Energy Electron Diffractionand Its Application to Determination of Surface Structure, Academic Press, London, 1974.
低能电子衍射图样给出晶体表面倒易空间的晶网像，或者说直接给出晶体倒易点阵的一个二维截面（见表面结构），它可以在一个二维模型基础上运用衍射的运动学理论加以解释（见衍射动力学理论）。一个无限大的二维晶体，其倒易点阵是垂直于二维晶面的倒易棒所形成之阵列,如图2所示。平行于此晶面的入射波矢k〃与散射波矢(ki)〃之差等于此晶面的二维倒易点阵矢量Gi，即有(ki)〃－k〃＝Gi时,
满足衍射加强条件。故于图2中以入射波矢k 为半径作一球（称为厄瓦耳球），球与倒易棒的交点，即给出衍射束的波矢ki。在相应的正空间中，衍射加强条件就是布喇格公式a sin φ＝hλ，b sin φ┡＝kλ，
式中a、b为二维平移矢量的长度。从衍射图可以确定表面平移矢量As、Bs,研究各种类型的表面有序结构,给出相应的空间群（见表面结构）。
衍射强度分析是利用LEED确定表面单胞内原子位置的核心问题。由于慢电子的动能与晶体中散射势相近,通常处理高能电子衍射的运动学理论或修正的运动学理论不能用于低能电子衍射。理论计算与实验数据的比较表明，分析低能电子在晶体中的行为，必须考虑晶体中原子、电子及声子与它的相互作用，以及低能电子在晶体中所受的多重散射。将所有这些相互作用表示成为一个有效势V(r)，低能电子的哈密顿量即写为
H＝Ho＋V(r)，
Ho为入射电子动能。这就将多体问题归结为求解单电子薛定谔方程：
Hψ＝Eψ 。
待求的衍射强度等于本征波函数的模的二次方|ψ|2。现代低能电子衍射理论分析很多就是从多重散射格林函数方法出发，对具体散射过程作各种模型假设，发展了若干行之有效的方法，如KKR法、贝基T－矩阵法、重正化向前散射法、双层法、链方法及其他微扰法。低能衍射技术已推广到研究表面缺陷、二维相变，其理论分析方法也为其他的表面分析技术所借鉴。
低能电子衍射仪常与多种表面分析仪联用，综合地分析各种金属、半导体的清洁表面与吸附表面的元素组成和表面原子结构。
参考书目
C.J. Davisson and L.H. Germer, Physical Review,Vol. 30,p.705,1927.
J. B. Pendry, Low Energy Electron Diffractionand Its Application to Determination of Surface Structure, Academic Press, London, 1974.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条