1) LP-buffer
低功率(LP)过渡层
2) LP-LW
低功率焊接(LP-LW)
3) Ti interlayer
钛过渡层
1.
Effect of Ti interlayer on thermal residual stresses of CVD diamond films;
钛过渡层对CVD金刚石膜热残余应力的影响
2.
Thermal stress distribution in film/substrate systems were calculated separately,one with Mo,W and Ni substrates and the other with Mo substrates with Ti interlayer.
分别计算了在常用金属材料钼、钨、镍作衬底和用镀有钛过渡层的钼作衬底的情况下,膜/衬底间的热应力分布情况。
3.
A type of composite substrate was explored to solve the problem of crack in the deposition of diamond films,that is,Mo substrates with Ti interlayer.
为了解决金刚石膜脱膜开裂的问题,尝试了一种复合衬底,即镀有钛过渡层的钼衬底。
4) Transition layer
过渡层
1.
Research of synthesizing PDC by using various transition layer materials;
采用过渡层合成金刚石复合片研究
2.
Transition Layer of Copper-cladding Aluminum in Continuous Casting;
连铸铜包铝复合棒坯过渡层的研究
3.
Interface structure and mechanical properties of FeNi alloy transition layer of composite pipes prepared by SHS;
SHS复合管FeNi合金过渡层接合界面结构及力学性能
5) transitional layer
过渡层
1.
Reflectance signatures of transitional layer and its tuning effects to the amplitudes of pulsating waves.;
过渡层反射特征及脉冲波的振幅调谐现象
2.
With the effect of spraying transitional layer, a stainless steel alloy layer was obtained on the magnesium based metal matrix composites by laser cladding.
利用中间过渡层的作用 ,在镁基金属复合材料上激光熔覆了不锈钢合金层 ,熔覆层与基体为冶金结合。
3.
Measures on resisting earthquake structure were proposed in setting of transitional layer,construction columns,earthquake resisting walls,forms and structure of earthquake resisting walls,and the design of gird beam of reinforced.
根据《建筑抗震设计规范》(GBJ11-89)中有关底层框架—抗震墙砖房的规定 ,从工程实用的角度出发 ,探讨了底部两层框架—抗震墙砖房的设计要点 ,并从过渡层楼板、构造柱的设置、抗震墙的设置、结构形式、抗震墙的构造、钢筋混凝土圈梁、过渡层外纵墙、上部承重砖墙等的构造设计方面提出了抗震构造措施。
6) buffer layer
过渡层
1.
Influence of Ni buffer layer on micro structure and giant magnetoresistance of Co/Cu/Co sandwiches;
Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响
2.
GaAs epitaxial layer was charactorized by changing the growth temperature of GaAs buffer layer.
通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件。
3.
First, we deposited the buffer layer of MgB_ 2 with 10μm thick, then deposited the surface MgB_ 2 thick film layer with 20μm.
我们用混和物理化学气相沉积法(HPCVD)在不锈钢衬底上原位制备了以MgB2厚膜(约10微米厚)为过渡层的MgB2超导厚膜(约20微米厚)样品,两层膜总厚约30微米。
补充资料：低功率激光频率转换材料
低功率激光频率转换材料
materials for low power laser frequency conversion
低功率激光频率转换材料materials for lowpower laser frequeney eonversion对半导体激光器进行直接频率转换，或对半导体泵浦的钦激光器进行频率转换的材料。这类激光源多为连续激光。其功率在几十毫瓦到瓦级，发散角约20。一300;用其泵浦的钦激光发散度较小，但仍比一般固体、气体激光差。随着半导体激光器功率、寿命、模式特性的不断提高，应用上述激光频率转换材料可制作小型、长寿命的可见光激光源，用于高密度光盘存储、彩色显示等领域。 性能要求低功率激光频率转换的技术关键是提高转换效率。通常转换效率达10%才有实用意义。为此，对材料性能要求有高二次非线性系数、相位匹配条件和透过波段。高二次非线性系数在低转换效率情况下，转换效率与二次非线性系数成正比，因而希望有大的二次非线性系数的材料。已发现的MMNONS(4一甲氧基3一甲基4H一硝基二苯乙烯)、mNA(亚硝基苯胺)和MNA(二甲基一4硝基苯胺)等有机材料具有很高二次非线性系数，但它们短波吸收边已接近500 nm。具有短吸收边，又有高二次非线性系数的有机材料正在探索中。无机材料锐酸钾(KN)、视酸钡钠(BNN)、磷酸钦氧钾(KTP)、担酸铿(LT)晶体和视酸锉(LN)晶体二次非线性系数较高，而其短波吸收边大都在400 nm，是目前有希望应用的低功率激光频率转换的材料。 相位匹配条件是获得低功率激光有效频率转换的必要条件。发散度大的激光源，临界角度匹配方法造成的失配太大。比较而言，非临界角度匹配可获得更好效果，是体块材料低功率激光频率转换的一种有效技术，但对材料要求较苛刻。在大非线性系数材料中，只有KN晶体能在较窄的温度范围(约半度)内，对特定波长(一860~)能实现半导体激光直接倍频。体块材料相位匹配的另一可行方法是用准相位匹配技术。它的效果可与非临界相位匹配相当，同时可利用材料中一些很大的、由角度或温度匹配无法利用的非线性系数分量。 此外，也可利用波导结构来实现相位匹配。它可以提高基频功率密度，利用大的二次非线性系数，获得长的非线性互作用长度，因而可望获得高的转换效率。波导结构实现相位匹配的一个方法是利用波导模式色散。它要求基频和倍频导模的有效折射率相等，但难以获得较大的交叠积分，因而效果不太理想。利用切伦可夫辐射方式实现波导模相位匹配较为简便，其交叠积分也较大。目前已开发出一种把波导结构与准相位匹配相结合的方法，对半导体激光倍频已经获得高达3%的转换效率。 对半导体激光泵浦的钦激光倍频，已发展了一种利用可控反馈的谐振腔式相位匹配方法。
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参考词条