1) laser-induced incandescence
激光诱导可见光
1.
A laser-induced incandescence (LII) diagnostics system with 2-color calibration unit was set up.
建立了一套基于激光诱导可见光法(laser-induced incandescence,LII)及双色标定法的颗粒体积浓度定量诊断系统。
2) Visible laser
可见激光
1.
This paper present the scheme of high power(20 W) scan laser with visible laser light (0.
阐述了高功率（２０Ｗ）可见激光（０。
3) laser-induced
激光诱导
1.
Application of laser-induced fluorescence spectrometry to the inspection of timbers;
激光诱导荧光光谱在木材检测中的应用
2.
Mechanism of CO_2 laser-induced liquid deposition of silver;
CO_2激光诱导液相沉积银的机理研究
3.
The influence factors of laser deposition quality and rate are studied,and the reaction principles,possible reaction products and deposition models of laser-induced chemical liquid deposition are discussed.
6 μm)作为诱导光源 ,普通玻璃作为衬底 ,研究了影响激光沉积质量和速率的因素 ,探讨了激光诱导液相化学沉积技术的反应机制 ,反应产物及其沉积模型等。
5) laser induced
激光诱导
1.
The experimental study of the laser induced deposition of copper;
激光诱导化学沉积（铜）的实验研究
2.
Ag metal layer is deposited on epoxy resin board by means of CO 2 laser induced deposition in aqueous solution.
在水溶液中 ,用CO2 激光诱导沉积的方法在环氧树脂基材上沉积金属银 ,并以Ag作为活化金属层进行化学镀铜。
3.
Many experiments illustrate that He-Ne laser is unfit for the laser induced liquid-phase deposition technique.
通过多次尝试 ,发现He Ne激光器不适合用于激光诱导液相沉积技术。
6) visible laser diode
可见光半导体激光器
1.
Many merits and the general applicatlons of visible laser diodes are dis-cussed,The necessity of collimating, shaping and eliminating astigmatism is analyzed due to characteristics of laser diodes,The applicable design of optical systems for collimating,shaping eliminating astigmatism, etc.
本文讨论了可见光半导体激光器的很多优点及其广泛应用，从半导体激光器的特点出发，分析了设计准直、整形、消象散的必要性，并具体讨论了包括准直、整形、消象散等光学系统的设计，具有实用性。
补充资料：可见光半导体激光材料
可见光半导体激光材料
visible semiconductor laser materials
可见光半导体激光材料visible semiconductorlaser materials激光波长在0 .3一0 .7召m范围内的半导体激光材料。按激光颜色可分红光半导体激光材料、蓝绿光半导体激光材料。可见光半导体激光材料的禁带宽度比红外半导体激光材料的宽。波长愈短，禁带愈宽。 红光半导体激光材料目前已用于制备0.6一0.7召m波段激光器的材料全部是nl一V族化合物半导体(表1)，故其晶体结构、能带结构一致，禁带宽度、晶格表1红光半导体激光材料┌────┬───────┬────────┬───┬───────┐│波长 │激活层 │限制层 │衬底 │备注 ││ (刀m) │ │ │ │ │├────┼───────┼────────┼───┼───────┤│ 0 .67 │Ga:一xAI二As │ Ga卜，AI，As │GaAS │x二0 .4y=0，7 ││ 0 .67 │Ga。.Sln。.SP │ Ga卜盆Al沈As │GaAs │ x>0 .7 ││ 0 .67 │Gao .Slno.。P │Ino .5(Ga，一、 │G月A只│ x二0 .4一1 ││0 .58一 │Inl一了(Ga卜x │ Alx)。.。P ├───┤ ││ 0 .69 │ Alx)，P │ In卜环Ga卜丫 │GaAS │ ││ │ │ AI了)，，P │ │ │└────┴───────┴────────┴───┴───────┘常数、折射率与组分和温度关系遵循相同规律。当使用Gal一xAlxAs/GaAs时，其激活层含有很高的AI组分，禁带宽度E;〔。V)┌─────────────┐│ AIS”沁一_ │├─────────────┤│l一 │├─────────────┤│ 沪 ││一/InP ││ 了曰、. │├─────────────┤│一牙长若 │└─────────────┘毕绷GaAs邝一0 QC6.6.﹄沉 ︵代︶杯枉滚咯外GaAIAs激光器可见光InGa人l尸激光器O一40。6〔k 81。t卜 滋射波长(林m) (AlxGa:一、)，In，一，l，的禁带宽度、 晶格常数与组分的关系氧化造成优质异质结生长困难，并引起器件快速退化，故其实际应用较少。实用化的红光半导体材料是InGaAIP/GaA氏其禁带宽度、晶格常数间的关系如图所示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条