1) catalyst-enhanced chemical vapor deposition (CECVD)
催化增强化学气相沉积
1.
Pd/Pt and Pt/Pd bilayer films on polyimide are prepared by catalyst-enhanced chemical vapor deposition (CECVD) in the carrier gases of N2, O2 at 250～300 ℃under a reduced pressure and a normal pressure.
以N2、O2作载气,采用催化增强化学气相沉积(CECVD)法,于250~300℃和减压/常压下制得沉积于聚酰亚胺(PI)上的Pt,Pd/Pt和Pt/Pd金属双层薄膜。
2) catalyst-enhanced chemical vapor deposition
催化增强化学蒸气沉积
3) Catalytic chemical vapor deposition
催化化学气相沉积
1.
Carbon nanotubes (CNTs) were prepared in batch process by catalytic chemical vapor deposition (CCVD) using a nano agglomerate bed.
在纳米聚团床中用催化化学气相沉积法批量制备了碳纳米管 ,研究了过渡金属催化剂对碳纳米管形貌和产量的影响 。
2.
Production of carbon nanotubes (CNTs) by catalytic chemical vapor deposition (CCVD) was studied using a nano-agglomerate fluidized bed with 44 mm inner diameter and 1000 mm height in the temperature range of 550~750oC.
采用催化化学气相沉积法(CCVD),在550~750oC温度范围内,于内径44 mm、高1000 mm的石英管纳米聚团床中制备了碳纳米管;通过SEM, TEM, TGA等多种分析手段对碳纳米管产品的形貌和质量进行了分析;把相同条件下的纳米聚团床法与前人固定催化剂法的结果进行了比较,并考察了纳米聚团床中反应条件对碳纳米管生长的影响;通过对电镜照片和反应转化率动态数据的深入分析,对纳米聚团床中碳纳米管生长机理的特殊性进行了初步探讨。
3.
Polysilicon thin films are deposited by catalytic chemical vapor deposition method.
以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。
4) catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD)
催化化学气相沉积(Cat-CVD)
5) CCVD
催化化学气相沉积法
1.
The SWCNTs growth by CCVD is strongly affected by catalysts, growth time and synthesis temperature .
催化化学气相沉积法(CCVD)制备SWCNTs的过程中，催化剂的特性，反应时间，反应温度等反应条件的选择直接影响生成SWCNTs的质量。
6) Floating Catalytic Chemical Vapor Deposition
浮游催化化学气相沉积
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条