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1)  reset capacitor
复位电容
1.
The effect of the reset capacitor in the AC small signal of active clamp forward converter is analysed first,then considering the rds(on),the article deduces the non-ideal small signal based on the state-space average method,in the end the characteristics of this new model is verified by simulation.
文中分析了有源箝位正激变换器中复位电容对其小信号特性的影响,在考虑原边主管导通电阻的基础上,应用状态空间平均法,首次推导其小信号模型,并运用Mathcad仿真了该模型的频率特性,结合控制理论根之和的概念,分析了非理想条件下的有源箝位正激电路的小信号模型。
2)  RC reset
阻容复位
1.
This paper presents analyses and comparison of characteristics for reset pulse generated by RC reset circuit and monitor reset circuit.
对阻容复位电路和监控器复位电路产生的复位脉冲的特性进行了比较与分析 ,结果发现 ,在电源出现瞬时跌落的情况下 ,阻容复位电路可能无法产生所需的复位脉冲 ,并讨论了如何正确选择复位门限电
3)  the complex capacitance
复电容
1.
The influence of sintering temperature on the depression angle of the complex capacitance curves was studied, the types and origin of traps in grain boundary of low voltage ZnO ceramic varistors were also discussed.
应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压敏陶瓷的复电容曲线 ,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律 ,探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因 ,并对电子陷阱的特征参数进行了表征 。
4)  complex capacitance
复数电容
1.
The expressions of complex capacitance for ideal polarized electrodes and kinetic ontrolled electrodes were deduced.
推导了电化学体系中理想极化电极、电化学极化电极的复数电容表达式。
2.
The exprassions of complex capacitance for ideal polarized electrodes,kinetic controlled electrodes,and both kinetic and mass transfer controlled electrodes,were deduced.
用复数电容的概念推导了电化学体系中理想极化电极、电化学极化电极及兼有电化学极化和浓差极化电极的复数电容表达式。
3.
The impedance spectroscopy of the asymmetric supercapacitor before and after the activation process was studied in terms of complex capacitance and complex power,and the relaxation time constant was determined.
通过对化成前后的超级电容器交流阻抗谱进行分析,利用复数电容和复数功率两种形式讨论了不对称超级电容器的阻抗变化规律,确定了不对称超级电容器的时间常数;通过碳/碳超级电容器与不对称超级电容器的阻抗行为的比较,说明电池型电极的引入对电容器的频率响应特性造成的影响。
5)  complex dielectric constant
复电容率
6)  clamping capacitor
箝位电容
1.
Furthermore, secondary full-wave rectifier with a clamping capacitor is used to eliminate .
同时副边采用带箝位电容的全波整流电路,消除了采用传统全波整流时副边整流管反向恢复引起的电压尖峰和电压振荡,有效地降低了电磁干扰。
2.
PPF can suppress switch’s drop-out peak-voltage and magnetic biasing by adding a clamping capacitor on primary side of the traditional push-pull converter’s transformer.
通过在传统推挽电路的变压器原边增加箝位电容,抑制了开关管电压尖峰和电路的偏磁。
补充资料:电容和电容器
      电容是描述导体或导体系容纳电荷的性能的物理量。
  
  孤立导体的电容  把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比,Q/U与Q无关,仅取决于孤立导体的形状和大小,它反映了孤立导体容纳电荷的能力,因而定义为孤立导体的电容,用C表示,C=Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉,简称法,用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体,其电容只有709×-6法,所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。
  
  如果把另一个带负电的导体移近孤立导体,后者的电位就下降,可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关,还取决于周围其他导体的相对位置。
  
  电容器  如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围,则因空腔的屏蔽作用,AB之间的电位差不受腔外带电体的影响,A所带的电量同A及B的电位差成比例。
  实际上,腔体封密的限制并不太高,即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板),如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量,则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器,这对导体则称为电容器的一对极板。
  
  把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q,电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C=Q/U。电容是电容器的特性常数,取决于两导体的形状、大小、相对位置;当导体间充有绝缘材料时,电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关,则电容C将随所加电压U而变化,这种电容器叫做非线性电容器。
  
  电容的倒数1/C=U/Q=S叫做倒电容。
  
  简单电容器的电容公式  如表。
  
  电容器的并联和串联  n个电容器并联如图a,它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q=,则 C=,即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。
  
  n个电容器串联如图b,它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=,则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。
  
  电容器的性能参数和用途  电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。
  
  实际电容器的种类繁多,用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数,以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器,以提供交流旁路稳定电压,用作级间交流耦合,以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
  

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参考词条