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1)  beam parameter measurement
光束参数测量
2)  space-domain parameter measurment of laser beam
激光束空域参数测量
3)  Beam quality parameter
光束质量参数
4)  beam parameters
光束参量
1.
Influence of astigmatic lens on the beam parameters of cosh-Gaussian beams;
像散透镜对双曲余弦-高斯光束参量的影响
2.
As to the diffractive beam from the end surface of planar waveguide in TE0 mode,under the condition of paraxial approximation,the analytic expressions between the beam parameters,the half width of waveguide core layer and the normalized frequency are derived from curve fitting.
采用指数函数拟合光束参量与波导归一化频率的关系,分别得到了以二阶矩和微分算子定义的近场模场半宽度、以二阶矩和微分算子定义的远场发散半角以及以二阶矩定义的光束传输因子和波导归一化频率V、波导芯层半宽度a的解析表达式。
5)  beam parameter
光束参量
1.
A high-precision system for laser beam parameter measurement is developed.
研究了采用面阵CCD探测器测量光束参量的技术问题,研制了一套高精度激光参量测量系统,对其光学系统像差与光场干涉原因进行了理论分析,实验测量了连续抽运1064nm固体模式发生器产生的基模厄米高斯光束,分析对比了其输出光束带有干涉条纹时对测量精度的影响,对光学系统的设计提出了具体技术要求,为同类装置的研制提供了参考依据。
6)  Beam parameter
光束参数
1.
Study of beam parameters expression in laser heat treatment;
激光热处理中光束参数表述问题研究
2.
Analysis on the accuracy of beam parameter measurement by using CCD array;
基于面阵CCD的激光光束参数测量系统精度分析
补充资料:半导体材料电学参数测量


半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material

  bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理,将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触,两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路,根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点,可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km,截面积Icm“材料的电阻,它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多,最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流,两根沿电流方向排列的探针与样品压触,测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差,mV;I为通过样品的直流电流,mA;A为样品截面积,。m“;L为探针间距,Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触,外面探针通过恒定直流电流,测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘,~‘、乙魂式中S为探针系数,cm;v23为中间两根探针电位差的测量值,mV;11、为通过样品的电流,mA;对于直线排列的四探针,探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离,cm。
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参考词条