1) metal oxide semiconductor(MOS)
金属氧化物半导体(MOS)
2) MOS(metal-oxide-semiconductor) structure
MOS(金属氧化物半导体)结构
3) MOS gate driver (MGD)
MOS门驱动器，金属氧化物半导体门驱动器
4) complementary
[英][,kɔmplɪ'mentri] [美]['kɑmplə'mɛntrɪ]
MOS(CMOS) 互补金属氧化半导体
5) metal-oxide semiconductor(MOS)
金氧半导体;金属氧化物半导体
6) metal oxide semiconductor
金属氧化物半导体
1.
The reactions of gas gas and gas solid on the surface of metal oxide semiconductor and reactive electronic processes are discussed in this paper.
讨论了金属氧化物半导体表面的气 -气、气 -固反应及其相应的电子过程 ,建立了分析气敏作用机理的理论模型 ,并提出了改进传感器性能的指导性意见。
补充资料：氧化物半导体
分子式：
CAS号：
性质：具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。
CAS号：
性质：具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条