1) High power busses
大功率母线
2) infinite busbar
[功率]无穷大母线
3) power bus
功率母线
1.
Analysis and estimates of loss power bus;
功率母线损耗的分析与估算
2.
Detailed introductions were made to the application in frequency converter for unit series multi-electrical level, power bus, micro-computer control and artificial intelligence, total digitalized optical fiber control and power unit standard modulization, insulated grid bipolar transistor (IGBT) drive circuit intelligentize etc.
介绍了变频器的市场情况以及变频技术的现状,详细介绍了单元串联多电平、功率母线、微机控制和人工智能、全数字化光纤控制以及功率单元标准模块化、绝缘栅双极晶体管IGBT驱动电路智能化等技术在变频器上的应用。
3.
Heat sinking design and technique of power bus are included.
从工程角度介绍了一种新颖的电动汽车用电机驱动器的结构设计方案,包括电机驱动器的功率母线技术和散热设计。
4) laminated buabars
叠层功率母线
1.
a large variety of applications and developing status on laminated buabars are presented as well.
本文论述了叠层功率母线的构成及大量应用领域,存在的优点。
5) EV / terrace power generatrix
电动汽车/叠层功率母线
6) linear power amplifier
线性功率放大器
1.
The limiting current protection and temperature protection of MOSFET and linear power amplifier is the emphasis of discussion.
深入探讨了MOSFET管和线性功率放大器的限流保护和温度保护电路。
2.
In this paper,the importance of RF linear power amplifier in OFDM system was introduced,and then two primary technology of linearization were described in detail.
首先对射频线性功率放大器在OFDM系统中的重要性作了简单叙述,然后重点论述了两种主要的线性化方法——预失真和前馈,并在ADS环境中对它们进行了仿真实现。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条